场效应晶体管的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01141245.3

申请日：

2001-09-04

公开(公告)号：

CN1341956A

公开(公告)日：

2002-03-27

发明(设计)人：

东清一郎安部大介

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21283

IPC分类号：

H01L21285 H01L21324 H01L21336

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

王忠忠

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2021-09-21	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/283 申请日:20010904 授权公告日:20041229
2004-12-29	授权	授权
2002-03-27	公开	公开

共 50 条

[1]

场效应晶体管 [P].

久保昌彦 .

中国专利 :CN103681857A ,2014-03-26

[2]

场效应晶体管的制造方法 [P].

高谷秀史 .

日本专利 :CN120604636A ,2025-09-05

[3]

场效应晶体管 [P].

天清宗山 ;

户塚正裕 .

中国专利 :CN101853879B ,2010-10-06

[4]

场效应晶体管 [P].

竹村保彦 .

中国专利 :CN105810742A ,2016-07-27

[5]

场效应晶体管 [P].

高谷秀史 .

日本专利 :CN119234316A ,2024-12-31

[6]

场效应晶体管 [P].

竹村保彦 .

中国专利 :CN102934232B ,2013-02-13

[7]

场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法 [P].

椿茂树 .

中国专利 :CN1819270A ,2006-08-16

[8]

场效应晶体管 [P].

池田圭司 ;

入沢寿史 ;

沼田敏典 ;

手塚勉 .

中国专利 :CN102694026A ,2012-09-26

[9]

场效应晶体管 [P].

坂直树 ;

冈元大作 ;

田中秀树 .

中国专利 :CN110246898A ,2019-09-17

[10]

场效应晶体管、场效应晶体管的制造方法和显示装置 [P].

上田未纪 ;

岩崎达哉 ;

板垣奈穗 ;

高亚阿米达 .

中国专利 :CN101752428A ,2010-06-23

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