具有包括两个层的场电极的晶体管装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710646215.4

申请日：

2017-08-01

公开(公告)号：

CN107681002B

公开(公告)日：

2018-02-09

发明(设计)人：

T.费伊尔

申请人：

申请人地址：

奥地利菲拉赫

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2949 H01L21283 H01L21336

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

申屠伟进;张涛

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-28	授权	授权
2018-02-09	公开	公开
2018-03-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20170801

共 50 条

[1]

具有场电极的晶体管器件 [P].

C·坎彭 ;

M·聪德尔 .

中国专利 :CN105720102A ,2016-06-29

[2]

具有场电极的晶体管器件 [P].

F·希尔勒 ;

A·毛德 .

中国专利 :CN103681867B ,2014-03-26

[3]

控制至少两个晶体管的方法和包括至少两个晶体管的装置 [P].

韦利·卡塔尔 ;

斯特凡·多纳特 .

中国专利 :CN107959407A ,2018-04-24

[4]

具有场电极的晶体管器件 [P].

O.布兰克 ;

R.西米尼克 .

中国专利 :CN104465771B ,2015-03-25

[5]

具有场电极的功率晶体管 [P].

M.巴特尔斯 ;

R.魏斯 .

中国专利 :CN105633164A ,2016-06-01

[6]

具有两个晶体管和两个变压器的电子镇流器 [P].

彼得·W·沙克尔 .

中国专利 :CN1117782A ,1996-02-28

[7]

包括两个导电屏蔽元件的半导体晶体管 [P].

斯蒂芬·J·C·H·首文 .

中国专利 :CN102237410B ,2011-11-09

[8]

具有导体材料层的晶体管栅电极 [P].

阿南德·墨菲 ;

博扬·博亚诺夫 ;

休曼·达塔 ;

布赖恩·S·多伊尔 ;

B－Y·金 ;

S·于 ;

罗伯特·赵 .

中国专利 :CN1922735A ,2007-02-28

[9]

包括两个高电子迁移率晶体管的电子装置 [P].

M·诺恩盖拉德 ;

T·欧埃克斯 .

中国专利 :CN115148730A ,2022-10-04

[10]

静电放电防护的晶体管以及形成两个邻近的晶体管的方法 [P].

黄绍璋 ;

朱育宏 .

中国专利 :CN100477205C ,2006-12-20

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