氮化物半导体结构及半导体发光元件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201810450545.0
申请日
2013-01-25
公开(公告)号
CN108321267A
公开(公告)日
2018-07-24
发明(设计)人
吴俊德 李玉柱
申请人
申请人地址
中国台湾台南市善化区大利三路5号
IPC主分类号
H01L3306
IPC分类号
H01L3314 H01L3332
代理机构
北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205
代理人
吴志红;臧建明
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
氮化物半导体结构及半导体发光元件 [P]. 
吴俊德 ;
李玉柱 .
中国专利 :CN108550670B ,2018-09-18
[2]
氮化物半导体结构及半导体发光元件 [P]. 
吴俊德 ;
李玉柱 .
中国专利 :CN108321268A ,2018-07-24
[3]
氮化物半导体结构及半导体发光元件 [P]. 
吴俊德 ;
李玉柱 .
中国专利 :CN103972340B ,2014-08-06
[4]
氮化物半导体结构及半导体发光元件 [P]. 
王信介 ;
李玉柱 ;
吴俊德 ;
林京亮 ;
李允立 .
中国专利 :CN103972339A ,2014-08-06
[5]
氮化物半导体结构及半导体发光元件 [P]. 
王信介 ;
李玉柱 ;
吴俊德 ;
林京亮 ;
李允立 .
中国专利 :CN107819059A ,2018-03-20
[6]
氮化物半导体结构及半导体发光元件 [P]. 
王信介 ;
李玉柱 ;
吴俊德 ;
林京亮 ;
李允立 .
中国专利 :CN107833956B ,2018-03-23
[7]
氮化物半导体结构及半导体发光元件 [P]. 
王信介 ;
李玉柱 ;
吴俊德 ;
林京亮 ;
李允立 .
中国专利 :CN103972342A ,2014-08-06
[8]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
林齐一 .
日本专利 :CN120659437A ,2025-09-16
[9]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
翁宇峰 ;
M.布罗克利 .
中国专利 :CN102456791B ,2012-05-16
[10]
氮化物半导体发光元件 [P]. 
松仓勇介 ;
希利尔·贝诺 ;
高尾一史 .
日本专利 :CN120129369A ,2025-06-10