氮化物半导体结构及半导体发光元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711123066.X

申请日：

2013-01-25

公开(公告)号：

CN107833956B

公开(公告)日：

2018-03-23

发明(设计)人：

王信介李玉柱吴俊德林京亮李允立

申请人：

申请人地址：

中国台湾台南市善化区大利三路5号

IPC主分类号：

H01L3306

IPC分类号：

H01L3312 H01L3314 H01L3332

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

罗英;臧建明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-23	公开	公开
2018-04-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/06 申请日:20130125
2020-04-07	授权	授权

共 50 条

[1]

氮化物半导体结构及半导体发光元件 [P].

王信介 ;

李玉柱 ;

吴俊德 ;

林京亮 ;

李允立 .

中国专利 :CN103972339A ,2014-08-06

[2]

氮化物半导体结构及半导体发光元件 [P].

王信介 ;

李玉柱 ;

吴俊德 ;

林京亮 ;

李允立 .

中国专利 :CN107819059A ,2018-03-20

[3]

氮化物半导体结构及半导体发光元件 [P].

吴俊德 ;

李玉柱 .

中国专利 :CN108321267A ,2018-07-24

[4]

氮化物半导体结构及半导体发光元件 [P].

吴俊德 ;

李玉柱 .

中国专利 :CN108550670B ,2018-09-18

[5]

氮化物半导体结构及半导体发光元件 [P].

吴俊德 ;

李玉柱 .

中国专利 :CN108321268A ,2018-07-24

[6]

氮化物半导体结构及半导体发光元件 [P].

吴俊德 ;

李玉柱 .

中国专利 :CN103972340B ,2014-08-06

[7]

氮化物半导体结构及半导体发光元件 [P].

王信介 ;

李玉柱 ;

吴俊德 ;

林京亮 ;

李允立 .

中国专利 :CN103972342A ,2014-08-06

[8]

氮化物半导体发光元件 [P].

林齐一 .

日本专利 :CN120659437A ,2025-09-16

[9]

氮化物半导体发光元件 [P].

翁宇峰 ;

M.布罗克利 .

中国专利 :CN102456791B ,2012-05-16

[10]

氮化物半导体发光元件 [P].

松仓勇介 ;

希利尔·贝诺 ;

高尾一史 .

日本专利 :CN120129369A ,2025-06-10

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