等离子体化学气相法制备高α相氮化硅粉体的工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02153390.3

申请日：

2002-11-29

公开(公告)号：

CN1445161A

公开(公告)日：

2003-10-01

发明(设计)人：

白万杰

申请人：

申请人地址：

050031河北省石家庄市和平东路399号石家庄华泰纳米陶瓷材料厂

IPC主分类号：

C01B21068

IPC分类号：

C04B35584 C23C1650

代理机构：

石家庄新世纪专利事务有限公司

代理人：

董金国

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2003-10-01	公开	公开
2009-01-28	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2005-08-31	授权	授权
2003-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

等离子体化学气相法批量生产氮化硅粉体转相工艺及系统 [P].

齐龙浩 ;

白万杰 ;

潘伟 ;

曹阳 .

中国专利 :CN1397487A ,2003-02-19

[2]

等离子体化学气相合成法制备碳化钛陶瓷粉体的工艺 [P].

白万杰 .

中国专利 :CN1189392C ,2003-10-01

[3]

等离子体化学气相合成法制备碳化硅陶瓷粉体的工艺 [P].

白万杰 .

中国专利 :CN1445164A ,2003-10-01

[4]

等离子体化学气相合成法制备碳氮化钛陶瓷粉体的工艺 [P].

白万杰 .

中国专利 :CN1443726A ,2003-09-24

[5]

氮化硅粉体α相转相装置 [P].

张芬红 .

中国专利 :CN2546432Y ,2003-04-23

[6]

高α相氮化硅粉体的生产方法 [P].

夏静豪 ;

夏凡 .

中国专利 :CN112408992B ,2021-02-26

[7]

低温制作高应变等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜的方法 [P].

迈克尔·P·贝尔扬斯基 ;

奥利格·格卢申科夫 ;

李瑛 ;

阿努帕马·马利卡朱南 .

中国专利 :CN101584025B ,2009-11-18

[8]

一种等离子体化学气相沉积装置 [P].

朱珠 .

中国专利 :CN206635413U ,2017-11-14

[9]

α相氮化硅粉体的制备方法 [P].

邓巧玉 ;

高礼文 ;

吕洪领 ;

孙林帅 ;

朱鑫宁 ;

孙兆江 .

中国专利 :CN117800742A ,2024-04-02

[10]

α相氮化硅粉体的制备方法 [P].

邓巧玉 ;

高礼文 ;

吕洪领 ;

孙林帅 ;

朱鑫宁 ;

孙兆江 .

中国专利 :CN117800742B ,2024-05-31

← 1 2 3 4 5 →