等离子体化学气相合成法制备碳化硅陶瓷粉体的工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02153391.1

申请日：

2002-11-29

公开(公告)号：

CN1445164A

公开(公告)日：

2003-10-01

发明(设计)人：

白万杰

申请人：

申请人地址：

050031河北省石家庄市和平东路399号石家庄华泰纳米陶瓷材料厂

IPC主分类号：

C01B3136

IPC分类号：

C23C1650 C04B35565

代理机构：

石家庄新世纪专利事务有限公司

代理人：

董金国

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-01-12	授权	授权
2003-12-17	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-01-28	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2003-10-01	公开	公开

共 50 条

[1]

等离子体化学气相合成法制备碳化钛陶瓷粉体的工艺 [P].

白万杰 .

中国专利 :CN1189392C ,2003-10-01

[2]

等离子体化学气相合成法制备碳氮化钛陶瓷粉体的工艺 [P].

白万杰 .

中国专利 :CN1443726A ,2003-09-24

[3]

等离子体化学气相合成法制备高纯纳米碳化硼粉末的方法 [P].

蔡杉 .

中国专利 :CN108046268A ,2018-05-18

[4]

等离子体化学气相法制备高α相氮化硅粉体的工艺 [P].

白万杰 .

中国专利 :CN1445161A ,2003-10-01

[5]

碳化硅的等离子体切割 [P].

迈克尔·勒斯纳 ;

曼弗雷德·恩格尔哈特 ;

古德龙·施特兰茨尔 .

中国专利 :CN107507767B ,2017-12-22

[6]

一种等离子化学气相合成法制备纳米石墨烯粉体的方法 [P].

张芬红 .

中国专利 :CN104961127A ,2015-10-07

[7]

碳化硅的等离子体刻蚀 [P].

李思义 .

中国专利 :CN1522465A ,2004-08-18

[8]

一种低温合成制备碳化硅陶瓷粉体的方法 [P].

张宁 .

中国专利 :CN109437913B ,2019-03-08

[9]

等离子体增强化学气相沉积用碳化硅陶瓷舟及其制备方法 [P].

杨万利 ;

代丽娜 ;

康文杰 ;

张永辉 ;

张旭辉 ;

彭志刚 .

中国专利 :CN105525277A ,2016-04-27

[10]

基于微波等离子体的碳化硅氧化方法 [P].

刘新宇 ;

汤益丹 ;

王盛凯 ;

白云 ;

杨成樾 .

中国专利 :CN108584963A ,2018-09-28

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