具有SiGe沟道的MOSFET及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410186686.8

申请日：

2014-05-05

公开(公告)号：

CN103972105A

公开(公告)日：

2014-08-06

发明(设计)人：

王敬肖磊梁仁荣许军

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区100084-82信箱

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21265 H01L2978 H01L2910

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

张大威

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-06	公开	公开
2014-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586670340 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014101866868 申请日:20140505
2018-02-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20140806

共 50 条

[1]

具有SiGeSn沟道的MOSFET及其形成方法 [P].

王敬 ;

肖磊 ;

赵梅 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103839830A ,2014-06-04

[2]

具有SiGeSn沟道的MOSFET及其形成方法 [P].

王敬 ;

肖磊 ;

赵梅 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103839828A ,2014-06-04

[3]

具有GeSn沟道的MOSFET及其形成方法 [P].

王敬 ;

肖磊 ;

赵梅 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103839831A ,2014-06-04

[4]

具有SiGe源漏的MOSFET及其形成方法 [P].

王敬 ;

肖磊 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103972106A ,2014-08-06

[5]

具有悬空沟道的MOSFET及其形成方法 [P].

乔治斯·威廉提斯 ;

马克·范·达尔 ;

布兰丁·迪里耶 .

中国专利 :CN103367441B ,2013-10-23

[6]

具有SiGe源漏的FinFET及其形成方法 [P].

王敬 ;

肖磊 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103972107A ,2014-08-06

[7]

具有GeSn源漏的MOSFET及其形成方法 [P].

王敬 ;

肖磊 ;

赵梅 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103811352A ,2014-05-21

[8]

具有SiGeSn源漏的MOSFET及其形成方法 [P].

王敬 ;

肖磊 ;

赵梅 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103839827A ,2014-06-04

[9]

具有SiGeSn源漏的MOSFET及其形成方法 [P].

王敬 ;

肖磊 ;

赵梅 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103839980B ,2014-06-04

[10]

具有SiGe沟道的鳍式场效应晶体管及其形成方法 [P].

王敬 ;

肖磊 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103972104A ,2014-08-06

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