具有悬空沟道的MOSFET及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210413989.X

申请日：

2012-10-25

公开(公告)号：

CN103367441B

公开(公告)日：

2013-10-23

发明(设计)人：

乔治斯·威廉提斯马克·范·达尔布兰丁·迪里耶

申请人：

申请人地址：

中国台湾，新竹

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-10-23	公开	公开
2013-11-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101542124090 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:201210413989X 申请日:20121025
2016-10-05	授权	授权

共 50 条

[1]

具有替换沟道的多栅极器件及其形成方法 [P].

郭志伟 ;

赵元舜 ;

陈豪育 ;

杨士洪 .

中国专利 :CN103378156A ,2013-10-30

[2]

具有SiGeSn沟道的MOSFET及其形成方法 [P].

王敬 ;

肖磊 ;

赵梅 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103839830A ,2014-06-04

[3]

具有SiGe沟道的MOSFET及其形成方法 [P].

王敬 ;

肖磊 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103972105A ,2014-08-06

[4]

具有SiGeSn沟道的MOSFET及其形成方法 [P].

王敬 ;

肖磊 ;

赵梅 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103839828A ,2014-06-04

[5]

具有GeSn沟道的MOSFET及其形成方法 [P].

王敬 ;

肖磊 ;

赵梅 ;

梁仁荣 ;

许军 .

中国专利 :CN103839831A ,2014-06-04

[6]

功率MOSFET及其形成方法 [P].

朱馥钰 ;

郑志昌 ;

林东阳 ;

柳瑞兴 .

中国专利 :CN103928514A ,2014-07-16

[7]

环栅MOSFET及其形成方法 [P].

张海洋 ;

王彦 .

中国专利 :CN107039509A ,2017-08-11

[8]

功率MOSFET及其形成方法 [P].

郑志昌 ;

朱馥钰 ;

柳瑞兴 ;

段孝勤 .

中国专利 :CN103137697A ,2013-06-05

[9]

埋藏沟道晶体管及其形成方法 [P].

邱慈云 ;

克里夫·德劳利 ;

辜良智 ;

江宇雷 ;

余达强 .

中国专利 :CN106935646A ,2017-07-07

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

S·阿塞法 ;

W·M·J·格林 ;

M·H·哈提尔 ;

Y·A·弗拉索夫 .

中国专利 :CN103576344A ,2014-02-12

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