功率MOSFET及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210242445.1

申请日：

2012-07-12

公开(公告)号：

CN103137697A

公开(公告)日：

2013-06-05

发明(设计)人：

郑志昌朱馥钰柳瑞兴段孝勤

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-05	公开	公开
2015-08-12	授权	授权
2013-07-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101486727221 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012102424451 申请日:20120712

共 50 条

[1]

垂直功率MOSFET及其形成方法 [P].

伍震威 ;

周学良 ;

柳瑞兴 ;

苏柏智 .

中国专利 :CN103456790B ,2013-12-18

[2]

功率MOSFET及其形成方法 [P].

朱馥钰 ;

郑志昌 ;

林东阳 ;

柳瑞兴 .

中国专利 :CN103928514A ,2014-07-16

[3]

准垂直功率MOSFET及其形成方法 [P].

陈吉智 ;

田昆玄 ;

柳瑞兴 .

中国专利 :CN102956704A ,2013-03-06

[4]

垂直功率MOSFET及其形成方法 [P].

苏柏智 ;

周学良 ;

柳瑞兴 ;

伍震威 .

中国专利 :CN103456788B ,2013-12-18

[5]

功率MOSFET及其形成方法 [P].

伍震威 ;

周学良 ;

苏柏智 ;

柳瑞兴 .

中国专利 :CN103681850B ,2014-03-26

[6]

垂直功率MOSFET晶体管及其形成方法 [P].

伍震威 ;

周学良 ;

苏柏智 ;

柳瑞兴 .

中国专利 :CN103594469B ,2014-02-19

[7]

功率MOSFET器件及其形成方法 [P].

唐昭焕 ;

吴罚 ;

朱克宝 ;

杨帆 .

中国专利 :CN111883494B ,2020-11-03

[8]

MOSFET形成方法 [P].

何永根 ;

何有丰 .

中国专利 :CN102446766A ,2012-05-09

[9]

具有悬空沟道的MOSFET及其形成方法 [P].

乔治斯·威廉提斯 ;

马克·范·达尔 ;

布兰丁·迪里耶 .

中国专利 :CN103367441B ,2013-10-23

[10]

环栅MOSFET及其形成方法 [P].

张海洋 ;

王彦 .

中国专利 :CN107039509A ,2017-08-11

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