垂直功率MOSFET晶体管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210535885.6

申请日：

2012-12-12

公开(公告)号：

CN103594469B

公开(公告)日：

2014-02-19

发明(设计)人：

伍震威周学良苏柏智柳瑞兴

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L2978 H01L29423 H01L218234 H01L21336 H01L2128

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;孙征

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101580333358 IPC(主分类):H01L 27/088 专利申请号:2012105358856 申请日:20121212
2017-04-12	授权	授权
2014-02-19	公开	公开

共 50 条

[1]

垂直功率MOSFET及其形成方法 [P].

伍震威 ;

周学良 ;

柳瑞兴 ;

苏柏智 .

中国专利 :CN103456790B ,2013-12-18

[2]

晶体管及其形成方法 [P].

李泓纬 ;

马礼修 ;

杨世海 ;

林佑明 .

中国专利 :CN113497155B ,2025-02-11

[3]

晶体管及其形成方法 [P].

李泓纬 ;

马礼修 ;

杨世海 ;

林佑明 .

中国专利 :CN113497155A ,2021-10-12

[4]

垂直晶体管及其形成方法 [P].

车宣龙 .

中国专利 :CN101431100B ,2009-05-13

[5]

晶体管及其形成方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN104022035B ,2014-09-03

[6]

晶体管及其形成方法 [P].

鲍宇 ;

平延磊 .

中国专利 :CN103794501B ,2014-05-14

[7]

晶体管及其形成方法 [P].

楼颖颖 .

中国专利 :CN102779843A ,2012-11-14

[8]

晶体管及其形成方法 [P].

洪中山 .

中国专利 :CN104217957A ,2014-12-17

[9]

晶体管及其形成方法 [P].

马礼修 ;

马可·范·达尔 ;

乔治奥斯·韦理安尼堤斯 ;

荷尔本·朵尔伯斯 .

中国专利 :CN115377209A ,2022-11-22

[10]

晶体管及其形成方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN105990138A ,2016-10-05

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