垂直晶体管及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810002936.2

申请日：

2008-01-11

公开(公告)号：

CN101431100B

公开(公告)日：

2009-05-13

发明(设计)人：

车宣龙

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2704 H01L21336 H01L21822

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

彭久云

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-01-26	授权	授权
2009-05-13	公开	公开
2009-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-03-11	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101600530410 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2008100029362 申请日:20080111 授权公告日:20110126 终止日期:20140111

共 50 条

[1]

垂直晶体管及其形成方法 [P].

朱宏斌 ;

程卫华 ;

刘威 ;

华文宇 ;

颜丙杰 ;

刘子琛 .

中国专利 :CN118370018A ,2024-07-19

[2]

垂直功率MOSFET晶体管及其形成方法 [P].

伍震威 ;

周学良 ;

苏柏智 ;

柳瑞兴 .

中国专利 :CN103594469B ,2014-02-19

[3]

晶体管及其形成方法 [P].

邓浩 .

中国专利 :CN104022035B ,2014-09-03

[4]

晶体管及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104282540A ,2015-01-14

[5]

晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103855020B ,2014-06-11

[6]

晶体管及其形成方法 [P].

刘焕新 .

中国专利 :CN105702723B ,2016-06-22

[7]

晶体管及其形成方法 [P].

蒋莉 ;

黎铭琦 .

中国专利 :CN102800592B ,2012-11-28

[8]

晶体管及其形成方法 [P].

徐建华 .

中国专利 :CN107039271A ,2017-08-11

[9]

晶体管及其形成方法 [P].

鲍宇 ;

平延磊 .

中国专利 :CN103794501B ,2014-05-14

[10]

晶体管及其形成方法 [P].

楼颖颖 .

中国专利 :CN102779843A ,2012-11-14

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