半导体结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110894824.8

申请日：

2021-08-05

公开(公告)号：

CN113539955A

公开(公告)日：

2021-10-22

发明(设计)人：

申松梅张俊逸

申请人：

申请人地址：

230011 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H01L21768

IPC分类号：

H01L23528 H01L23532

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

宋兴;臧建明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/768 申请日:20210805
2021-10-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法 [P].

申松梅 .

中国专利 :CN113539954A ,2021-10-22

[2]

半导体结构及其制作方法 [P].

申松梅 ;

张俊逸 .

中国专利 :CN113539955B ,2024-02-06

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

邵光速 ;

白卫平 ;

肖德元 ;

邱云松 .

中国专利 :CN116133388B ,2025-10-21

[4]

半导体结构及半导体结构制作方法 [P].

卢经文 ;

洪海涵 .

中国专利 :CN113097209B ,2021-07-09

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

王中磊 .

中国专利 :CN119136535A ,2024-12-13

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

王中磊 .

中国专利 :CN119136535B ,2025-10-21

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

丁瑞 .

中国专利 :CN118574405A ,2024-08-30

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

陈卓 ;

朴成 .

中国专利 :CN119153393B ,2025-10-03

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

尤康 ;

白杰 .

中国专利 :CN114141711A ,2022-03-04

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

王海艳 .

中国专利 :CN119317096A ,2025-01-14

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