半导体结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310822007.0

申请日：

2023-07-05

公开(公告)号：

CN119317096A

公开(公告)日：

2025-01-14

发明(设计)人：

王海艳

申请人：

长鑫存储技术有限公司

申请人地址：

230601 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号

IPC主分类号：

H10B12/00

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省宣城市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-07	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10B 12/00申请日:20230705
2025-10-14	授权	授权
2025-01-14	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法 [P].

申松梅 ;

张俊逸 .

中国专利 :CN113539955A ,2021-10-22

[2]

半导体结构及其制作方法 [P].

王中磊 .

中国专利 :CN119136535A ,2024-12-13

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

王中磊 .

中国专利 :CN119136535B ,2025-10-21

[4]

半导体结构及其制作方法 [P].

丁瑞 .

中国专利 :CN118574405A ,2024-08-30

[5]

半导体结构及其制作方法 [P].

陈卓 ;

朴成 .

中国专利 :CN119153393B ,2025-10-03

[6]

半导体结构及其制作方法 [P].

尤康 ;

白杰 .

中国专利 :CN114141711A ,2022-03-04

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

申松梅 .

中国专利 :CN113539954A ,2021-10-22

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

邵光速 ;

袁盼 ;

吴敏敏 .

中国专利 :CN116133386B ,2025-10-21

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

张书浩 ;

汪恒 .

中国专利 :CN119300448B ,2025-10-21

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

申松梅 ;

张俊逸 .

中国专利 :CN113539955B ,2024-02-06

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