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半导体结构及其制作方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111006058.3
申请日：
2021-08-30
公开(公告)号：
CN116133386B
公开(公告)日：
2025-10-21
发明(设计)人：
邵光速
袁盼
吴敏敏
申请人：
长鑫存储技术有限公司
北京超弦存储器研究院
申请人地址：
230011 安徽省合肥市经济开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H10B12/00
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2025-10-21 | 授权 | 授权 |