一种增强键合强度的超薄热氧化晶圆键合工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610518096.X

申请日：

2016-06-30

公开(公告)号：

CN106128936A

公开(公告)日：

2016-11-16

发明(设计)人：

华平壤陈朝夕

申请人：

申请人地址：

300000 天津市滨海新区开发区泰华路12号泰达中小企业发展中心3050房间

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-01-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20161116
2016-11-16	公开	公开

共 50 条

[1]

一种增强键合强度的超薄热氧化晶圆键合工艺 [P].

王前文 ;

胡胜 ;

孙鹏 .

中国专利 :CN105185720B ,2015-12-23

[2]

一种增强键合强度的晶圆键合方法及结构 [P].

孙鹏 ;

胡胜 ;

王前文 .

中国专利 :CN105206536B ,2015-12-30

[3]

检测晶圆键合强度的方法及晶圆键合机台 [P].

余兴 .

中国专利 :CN110349877A ,2019-10-18

[4]

用于晶圆键合的键合盘以及晶圆键合装置 [P].

司伟 ;

白龙 .

中国专利 :CN112053975A ,2020-12-08

[5]

用于晶圆键合的键合盘以及晶圆键合装置 [P].

司伟 ;

白龙 .

中国专利 :CN212659518U ,2021-03-05

[6]

晶圆键合方法及键合晶圆 [P].

王超 ;

刘婧 ;

黄驰 .

中国专利 :CN112614807A ,2021-04-06

[7]

晶圆键合方法以及键合晶圆 [P].

闵源 ;

王淞山 ;

许力恒 ;

赵强 .

中国专利 :CN109545672A ,2019-03-29

[8]

晶圆键合方法及键合晶圆 [P].

王超 ;

刘婧 ;

黄驰 .

中国专利 :CN112614807B ,2024-04-02

[9]

用于晶圆键合和解键合的装置及晶圆键合和解键合方法 [P].

袁晓春 ;

张振敏 ;

周丹 .

中国专利 :CN112670215A ,2021-04-16

[10]

一种键合晶圆及晶圆键合方法 [P].

王伟 ;

杨金铭 ;

胡念楚 ;

贾斌 .

中国专利 :CN111696944A ,2020-09-22

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