介质层的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610116849.0

申请日：

2006-09-30

公开(公告)号：

CN100517600C

公开(公告)日：

2008-04-02

发明(设计)人：

汪钉崇蓝受龙杨小明

申请人：

申请人地址：

201203上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2131

IPC分类号：

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

逯长明

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-04-02	公开	公开
2020-09-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/31 申请日:20060930 授权公告日:20090722 终止日期:20190930
2009-07-22	授权	授权
2011-12-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101239505039 IPC(主分类):H01L 21/31 专利号:ZL2006101168490 变更事项:专利权人变更前权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更后权利人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江路18号变更事项:共同专利权人变更前权利人:无变更后权利人:中芯国际集成电路制造(北京)有限公司登记生效日:20111109

共 50 条

[1]

介质层的形成方法 [P].

邓浩 ;

张彬 .

中国专利 :CN102891080A ,2013-01-23

[2]

介质层的形成方法 [P].

邓浩 ;

张彬 .

中国专利 :CN102903620A ,2013-01-30

[3]

介质层的形成方法 [P].

周鸣 .

中国专利 :CN102800622A ,2012-11-28

[4]

层叠介质层的形成方法和金属前介质层的形成方法 [P].

徐强 ;

郑春生 .

中国专利 :CN101593690A ,2009-12-02

[5]

栅介质层的形成方法、半导体结构及其形成方法 [P].

赵永敏 ;

汪军 ;

陈永强 .

中国专利 :CN111769043B ,2020-10-13

[6]

介质层的形成方法及双镶嵌结构的制造方法 [P].

聂佳相 .

中国专利 :CN100590810C ,2009-01-28

[7]

栅介质层的形成方法 [P].

陈旺 ;

何永根 ;

刘云珍 ;

郭佳衢 .

中国专利 :CN101393861A ,2009-03-25

[8]

栅介质层的形成方法 [P].

孙浩 .

中国专利 :CN109003879A ,2018-12-14

[9]

浅沟槽隔离区形成方法及介质层形成方法 [P].

张文广 ;

刘明源 ;

郑春生 .

中国专利 :CN101459111A ,2009-06-17

[10]

晶体管的形成方法、高K栅介质层的形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103928307B ,2014-07-16

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