转印用塑模及转印用塑模的制造方法

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专利类型
发明
申请号
CN201080024945.7
申请日
2010-06-03
公开(公告)号
CN102448704A
公开(公告)日
2012-05-09
发明(设计)人
古谷一之 铃木胜
申请人
申请人地址
日本国大阪府
IPC主分类号
B29C5904
IPC分类号
B29C3338
代理机构
上海市华诚律师事务所 31210
代理人
徐申民;侯莉
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
模内成形用转印膜及其制造方法 [P]. 
金内和彦 ;
中川英秋 ;
芝田岳永 ;
井上知之 .
中国专利 :CN105599476B ,2016-05-25
[2]
掩模坯料、转印用掩模、转印用掩模的制造方法、以及显示装置的制造方法 [P]. 
田边胜 .
日本专利 :CN117348331A ,2024-01-05
[3]
掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 [P]. 
宍户博明 .
日本专利 :CN114609856B ,2025-11-25
[4]
掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 [P]. 
宍户博明 .
中国专利 :CN114609856A ,2022-06-10
[5]
掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 [P]. 
宍户博明 .
中国专利 :CN109643058A ,2019-04-16
[6]
掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 [P]. 
宍户博明 .
中国专利 :CN114675486A ,2022-06-28
[7]
掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 [P]. 
谷口和丈 ;
宍户博明 .
中国专利 :CN110603489B ,2019-12-20
[8]
掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 [P]. 
宍户博明 .
日本专利 :CN114675486B ,2025-12-02
[9]
掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法 [P]. 
谷口和丈 ;
宍户博明 .
日本专利 :CN115933308B ,2025-08-26
[10]
转印用导电性薄膜 [P]. 
中岛一裕 ;
菅原英男 ;
安藤豪彦 ;
武田健太郎 .
中国专利 :CN110997310A ,2020-04-10