一种贫氧低温烧结纳米银焊膏的装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220066288.9

申请日：

2012-02-27

公开(公告)号：

CN202701540U

公开(公告)日：

2013-01-30

发明(设计)人：

梅云辉赵姿贞陈旭陆国权

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号天津大学

IPC主分类号：

B23K300

IPC分类号：

B23K3047

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

王丽

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-16	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101581558948 IPC(主分类):B23K 3/00 专利号:ZL2012200662889 申请日:20120227 授权公告日:20130130 终止日期:20130227
2013-01-30	授权	授权

共 50 条

[1]

一种贫氧低温烧结纳米银焊膏的装置及方法 [P].

梅云辉 ;

赵姿贞 ;

陈旭 ;

陆国权 .

中国专利 :CN102569110A ,2012-07-11

[2]

一种可控气氛的压力辅助烧结大面积纳米银焊膏的装置 [P].

李欣 ;

李洁 ;

梅云辉 ;

陆国权 .

中国专利 :CN206947295U ,2018-01-30

[3]

一种可控气氛的压力辅助烧结大面积纳米银焊膏的装置及方法 [P].

李欣 ;

李洁 ;

梅云辉 ;

陆国权 .

中国专利 :CN106486386A ,2017-03-08

[4]

一种低温烧结的锡掺杂纳米银焊膏的制备方法 [P].

李欣 ;

杨呈祥 ;

陆国权 ;

梅云辉 .

中国专利 :CN107175433A ,2017-09-19

[5]

无压低温烧结纳米银焊膏封装大功率IGBT器件的方法 [P].

梅云辉 ;

付善灿 ;

陆国权 .

中国专利 :CN104392942A ,2015-03-04

[6]

一种纳米银焊膏低温大面积均匀烧结方法 [P].

梅云辉 ;

邓文斌 .

中国专利 :CN113206018B ,2021-08-03

[7]

以纳米银焊膏低温烧结封装连接大功率LED的方法 [P].

陈旭 ;

陆国权 ;

宋洁 .

中国专利 :CN100435366C ,2006-11-29

[8]

半导体芯片的银纳米焊膏低温烧结装置 [P].

杨斌 .

中国专利 :CN119609268A ,2025-03-14

[9]

一种采用纳米银焊膏的烧结式IGBT模块及制备方法 [P].

梅云辉 ;

冯晶晶 ;

李欣 ;

陆国权 .

中国专利 :CN106373954A ,2017-02-01

[10]

一种纳米银膏辅助烧结装置 [P].

姜成名 ;

李宜峰 .

中国专利 :CN222912335U ,2025-05-27

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