半导体芯片的银纳米焊膏低温烧结装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411849732.8

申请日：

2024-12-16

公开(公告)号：

CN119609268A

公开(公告)日：

2025-03-14

发明(设计)人：

杨斌

申请人：

广东华芯半导体技术有限公司

申请人地址：

523000 广东省东莞市松山湖园区寿昌路5号2栋201室

IPC主分类号：

B23K1/008

IPC分类号：

B23K3/00 B23K3/04 B23K3/08

代理机构：

广东省国瑞专利代理事务所(普通合伙) 441206

代理人：

林桂进

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-14	公开	公开
2025-04-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):B23K 1/008申请日:20241216

共 50 条

[1]

铜/银核壳纳米颗粒低温烧结复合焊膏及其制备方法 [P].

田艳红 ;

江智 ;

文嘉玥 .

中国专利 :CN105127609A ,2015-12-09

[2]

一种贫氧低温烧结纳米银焊膏的装置 [P].

梅云辉 ;

赵姿贞 ;

陈旭 ;

陆国权 .

中国专利 :CN202701540U ,2013-01-30

[3]

一种贫氧低温烧结纳米银焊膏的装置及方法 [P].

梅云辉 ;

赵姿贞 ;

陈旭 ;

陆国权 .

中国专利 :CN102569110A ,2012-07-11

[4]

制备低温烧结银膏的方法 [P].

郑长城 ;

刘名 ;

王聪婕 ;

穆德魁 .

美国专利 :CN118527650A ,2024-08-23

[5]

一种银纳米焊膏低温无压烧结方法 [P].

王晨曦 ;

王特 ;

方慧 ;

周诗承 ;

牛帆帆 ;

杭春进 ;

田艳红 .

中国专利 :CN110047765A ,2019-07-23

[6]

无压低温烧结纳米银焊膏封装大功率IGBT器件的方法 [P].

梅云辉 ;

付善灿 ;

陆国权 .

中国专利 :CN104392942A ,2015-03-04

[7]

用于功率半导体芯片的压力辅助银烧结装置 [P].

王亚飞 ;

王彦刚 ;

戴小平 .

中国专利 :CN111081566A ,2020-04-28

[8]

一种低温烧结的锡掺杂纳米银焊膏的制备方法 [P].

李欣 ;

杨呈祥 ;

陆国权 ;

梅云辉 .

中国专利 :CN107175433A ,2017-09-19

[9]

以纳米银焊膏低温烧结封装连接大功率LED的方法 [P].

陈旭 ;

陆国权 ;

宋洁 .

中国专利 :CN100435366C ,2006-11-29

[10]

大功率芯片连接的低温烧结方法及纳米银膏厚度控制装置 [P].

徐连勇 ;

陆国权 ;

荆洪阳 .

中国专利 :CN101593712B ,2009-12-02

← 1 2 3 4 5 →