大功率芯片连接的低温烧结方法及纳米银膏厚度控制装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910069441.6

申请日：

2009-06-26

公开(公告)号：

CN101593712B

公开(公告)日：

2009-12-02

发明(设计)人：

徐连勇陆国权荆洪阳

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号

IPC主分类号：

H01L2160

IPC分类号：

H01L2100

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

温国林

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-01-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-12-02	公开	公开
2022-06-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/60 申请日:20090626 授权公告日:20120104 终止日期:20210626
2012-01-04	授权	授权

共 50 条

[1]

以纳米银焊膏低温烧结封装连接大功率LED的方法 [P].

陈旭 ;

陆国权 ;

宋洁 .

中国专利 :CN100435366C ,2006-11-29

[2]

无压低温烧结纳米银焊膏封装大功率IGBT器件的方法 [P].

梅云辉 ;

付善灿 ;

陆国权 .

中国专利 :CN104392942A ,2015-03-04

[3]

一种低温烧结的铟掺杂纳米银烧结膏的制备方法及烧结方法 [P].

刘盼 ;

张靖 ;

叶怀宇 ;

张国旗 .

中国专利 :CN110773908A ,2020-02-11

[4]

一种贫氧低温烧结纳米银焊膏的装置及方法 [P].

梅云辉 ;

赵姿贞 ;

陈旭 ;

陆国权 .

中国专利 :CN102569110A ,2012-07-11

[5]

一种贫氧低温烧结纳米银焊膏的装置 [P].

梅云辉 ;

赵姿贞 ;

陈旭 ;

陆国权 .

中国专利 :CN202701540U ,2013-01-30

[6]

一种基于低温纳米银浆料的SiC功率模块烧结连接方法 [P].

谢明达 ;

刘忠鑫 ;

黄泰豪 .

中国专利 :CN121236013A ,2025-12-30

[7]

半导体芯片的银纳米焊膏低温烧结装置 [P].

杨斌 .

中国专利 :CN119609268A ,2025-03-14

[8]

一种纳米银膏辅助烧结装置 [P].

姜成名 ;

李宜峰 .

中国专利 :CN222912335U ,2025-05-27

[9]

纳米银的烧结方法 [P].

唐松章 ;

宋义雄 ;

蒋遥 .

中国专利 :CN121171904A ,2025-12-19

[10]

一种低温烧结的锡掺杂纳米银焊膏的制备方法 [P].

李欣 ;

杨呈祥 ;

陆国权 ;

梅云辉 .

中国专利 :CN107175433A ,2017-09-19

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