大功率芯片连接的低温烧结方法及纳米银膏厚度控制装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910069441.6

申请日：

2009-06-26

公开(公告)号：

CN101593712B

公开(公告)日：

2009-12-02

发明(设计)人：

徐连勇陆国权荆洪阳

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号

IPC主分类号：

H01L2160

IPC分类号：

H01L2100

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

温国林

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-01-27	实质审查的生效	实质审查的生效
2009-12-02	公开	公开
2022-06-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/60 申请日:20090626 授权公告日:20120104 终止日期:20210626
2012-01-04	授权	授权

共 50 条

[31]

一种采用纳米银焊膏的烧结式IGBT模块及制备方法 [P].

梅云辉 ;

冯晶晶 ;

李欣 ;

陆国权 .

中国专利 :CN106373954A ,2017-02-01

[32]

一种低温烧结型纳米银与微米银复合导电银浆及其制备方法和应用 [P].

刘静 ;

刘芳 ;

牛超群 ;

刘欢 .

中国专利 :CN121034700A ,2025-11-28

[33]

一种低温高压纳米银烧结设备及工艺 [P].

陆运康 ;

吴岐山 ;

孙正超 .

中国专利 :CN119525630A ,2025-02-28

[34]

一种纳米银焊膏低压辅助烧结夹具及方法 [P].

梅云辉 ;

邓文斌 ;

李欣 ;

陆国权 .

中国专利 :CN109920755B ,2019-06-21

[35]

一种采用超声辅助纳米银焊膏烧结制作功率模块的方法 [P].

徐连勇 ;

李元 ;

荆洪阳 ;

陆国权 ;

韩永典 .

中国专利 :CN104201117A ,2014-12-10

[36]

一种低温烧结型纳米银浆及密封器件的封接方法 [P].

李明雨 ;

孙钦 ;

李玉峰 .

中国专利 :CN110429065A ,2019-11-08

[37]

纳米银焊膏封装大功率白光发光二极管LED模块及其封装方法 [P].

陈旭 ;

王涛 ;

陆国权 .

中国专利 :CN102610600B ,2012-07-25

[38]

一种含石墨烯的低温烧结喷墨纳米银导电墨水 [P].

张兴业 ;

李志丹 ;

吴丽娟 ;

宋延林 .

中国专利 :CN104177924A ,2014-12-03

[39]

一种石墨-纳米银复合焊膏烧结材料的制备方法 [P].

陈静 ;

刘盼 ;

张靖 ;

叶怀宇 ;

张国旗 .

中国专利 :CN111360452A ,2020-07-03

[40]

一种芯片纳米银烧结用多模态压头装置 [P].

陆运康 ;

吴岐山 .

中国专利 :CN119133036B ,2025-03-07

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