大功率芯片连接的低温烧结方法及纳米银膏厚度控制装置

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200910069441.6
申请日
2009-06-26
公开(公告)号
CN101593712B
公开(公告)日
2009-12-02
发明(设计)人
徐连勇 陆国权 荆洪阳
申请人
申请人地址
300072 天津市南开区卫津路92号
IPC主分类号
H01L2160
IPC分类号
H01L2100
代理机构
天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201
代理人
温国林
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[41]
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一种多形貌可低温烧结纳米银及其制备方法和应用 [P]. 
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