一种半导体器件及其制造方法和电子装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510669883.X

申请日：

2015-10-13

公开(公告)号：

CN106571362B

公开(公告)日：

2019-07-26

发明(设计)人：

余达强

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H01L2182

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;高伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-17	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101719980273 IPC(主分类):H01L 27/06 专利申请号:201510669883X 申请日:20151013
2019-07-26	授权	授权

共 50 条

[1]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

刘继全 .

中国专利 :CN106558532B ,2017-04-05

[2]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

伏广才 .

中国专利 :CN108155237A ,2018-06-12

[3]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

闫德海 ;

靳颖 ;

牟睿 ;

牛健 .

中国专利 :CN107863361A ,2018-03-30

[4]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

杨广立 ;

蒲贤勇 ;

刘丽 ;

戴执中 ;

王刚宁 ;

孙泓 .

中国专利 :CN105575812A ,2016-05-11

[5]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

王文博 ;

吴汉明 .

中国专利 :CN105990428B ,2016-10-05

[6]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

张超 ;

周儒领 ;

张庆勇 .

中国专利 :CN107994064A ,2018-05-04

[7]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

陈宗高 ;

王海强 ;

蒲贤勇 .

中国专利 :CN108122977A ,2018-06-05

[8]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

戴执中 ;

郑大燮 ;

王刚宁 ;

杨广立 ;

刘丽 ;

孙泓 .

中国专利 :CN105789333A ,2016-07-20

[9]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN105990372B ,2016-10-05

[10]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

陈德艳 ;

郑大燮 .

中国专利 :CN107527857A ,2017-12-29

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