一种碳化硅籽晶的处理方法和碳化硅晶体的生长方法

被引：0

申请号：

CN202211523460.3

申请日：

2022-12-01

公开(公告)号：

CN115595663A

公开(公告)日：

2023-01-13

发明(设计)人：

李佳君王蓉皮孝东高万冬沈典宇杨德仁

申请人：

申请人地址：

310000 浙江省杭州市市心北路99号5楼

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B3310 C30B3312 C30B2300

代理机构：

杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙) 33260

代理人：

姚宇吉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20221201
2023-01-13	公开	公开

共 50 条

[1]

籽晶处理方法及碳化硅晶体的生长方法 [P].

张永伟 ;

袁振洲 ;

刘欣宇 .

中国专利 :CN116837456B ,2024-02-23

[2]

碳化硅籽晶、碳化硅籽晶组件及其制备方法和制备碳化硅晶体的方法 [P].

蔡凯 ;

郭少聪 ;

王军 ;

周维 .

中国专利 :CN113897684A ,2022-01-07

[3]

一种碳化硅晶体生长用的碳化硅籽晶 [P].

陶莹 ;

邓树军 ;

高宇 ;

段聪 ;

赵梅玉 .

中国专利 :CN203065637U ,2013-07-17

[4]

一种碳化硅晶体的生长方法和碳化硅晶体 [P].

张永伟 ;

袁振洲 ;

刘欣宇 .

中国专利 :CN117265664B ,2024-04-30

[5]

碳化硅籽晶板及其制备方法、碳化硅晶体及其生长方法 [P].

韩倩 ;

李远田 ;

潘丹丹 .

中国专利 :CN120844206A ,2025-10-28

[6]

碳化硅晶体的生长方法 [P].

狄聚青 ;

刘运连 ;

薛帅 .

中国专利 :CN113774488A ,2021-12-10

[7]

碳化硅晶体的生长方法 [P].

林钦山 .

中国专利 :CN117364246A ,2024-01-09

[8]

碳化硅晶体的生长方法 [P].

李远田 ;

吴建 .

中国专利 :CN118727132A ,2024-10-01

[9]

碳化硅复合籽晶及其制备方法、碳化硅晶体 [P].

周国清 .

中国专利 :CN120401008A ,2025-08-01

[10]

碳化硅复合籽晶及其制备方法、碳化硅晶体 [P].

周国清 .

中国专利 :CN120401009A ,2025-08-01

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