碳化硅晶体的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310797978.4

申请日：

2023-06-30

公开(公告)号：

CN117364246A

公开(公告)日：

2024-01-09

发明(设计)人：

林钦山

申请人：

环球晶圆股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹市

IPC主分类号：

C30B29/36

IPC分类号：

C30B35/00

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

付文川

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-09	公开	公开
2024-01-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/36申请日:20230630

共 50 条

[1]

碳化硅晶体的生长方法 [P].

狄聚青 ;

刘运连 ;

薛帅 .

中国专利 :CN113774488A ,2021-12-10

[2]

碳化硅晶体的生长方法 [P].

李远田 ;

吴建 .

中国专利 :CN118727132A ,2024-10-01

[3]

制备碳化硅晶体的生长装置及碳化硅晶体的生长方法 [P].

许成凯 ;

陈俊宏 .

中国专利 :CN115537925A ,2022-12-30

[4]

碳化硅晶体生长方法、装置及碳化硅晶体 [P].

侯磊 .

中国专利 :CN120401012A ,2025-08-01

[5]

碳化硅晶体生长方法、装置及碳化硅晶体 [P].

侯磊 .

中国专利 :CN120465104A ,2025-08-12

[6]

碳化硅晶体的生长装置及方法 [P].

胡家乐 .

中国专利 :CN119571444A ,2025-03-07

[7]

一种碳化硅晶体的生长方法和碳化硅晶体 [P].

张永伟 ;

袁振洲 ;

刘欣宇 .

中国专利 :CN117265664B ,2024-04-30

[8]

碳化硅晶体生长装置及大尺寸碳化硅晶体的生长方法 [P].

燕靖 ;

陈俊宏 ;

李兆颖 ;

周来平 .

中国专利 :CN115142132B ,2024-03-19

[9]

碳化硅晶体生长装置及大尺寸碳化硅晶体的生长方法 [P].

燕靖 ;

陈俊宏 ;

李兆颖 ;

周来平 .

中国专利 :CN115142132A ,2022-10-04

[10]

碳化硅晶体的生长装置及生长方法 [P].

徐良 ;

杨新鹏 ;

蓝文安 ;

刘建哲 ;

余雅俊 ;

夏建白 ;

李京波 ;

郭炜 ;

叶继春 ;

占俊杰 .

中国专利 :CN111621851A ,2020-09-04

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