碳化硅晶体生长装置及大尺寸碳化硅晶体的生长方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202210620565.4
申请日
2022-06-02
公开(公告)号
CN115142132B
公开(公告)日
2024-03-19
发明(设计)人
燕靖 陈俊宏 李兆颖 周来平
申请人
江苏集芯先进材料有限公司
申请人地址
221000 江苏省徐州市徐州高新技术产业开发区电子信息产业园二期二号厂房
IPC主分类号
C30B29/36
IPC分类号
C30B23/00
代理机构
代理人
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
碳化硅晶体生长装置及大尺寸碳化硅晶体的生长方法 [P]. 
燕靖 ;
陈俊宏 ;
李兆颖 ;
周来平 .
中国专利 :CN115142132A ,2022-10-04
[2]
碳化硅晶体生长方法、装置及碳化硅晶体 [P]. 
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中国专利 :CN120401012A ,2025-08-01
[3]
碳化硅晶体生长方法、装置及碳化硅晶体 [P]. 
侯磊 .
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[10]
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