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碳化硅晶体生长装置及大尺寸碳化硅晶体的生长方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202210620565.4
申请日
:
2022-06-02
公开(公告)号
:
CN115142132B
公开(公告)日
:
2024-03-19
发明(设计)人
:
燕靖
陈俊宏
李兆颖
周来平
申请人
:
江苏集芯先进材料有限公司
申请人地址
:
221000 江苏省徐州市徐州高新技术产业开发区电子信息产业园二期二号厂房
IPC主分类号
:
C30B29/36
IPC分类号
:
C30B23/00
代理机构
:
代理人
:
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-03-19
授权
授权
共 50 条
[1]
碳化硅晶体生长装置及大尺寸碳化硅晶体的生长方法
[P].
燕靖
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燕靖
;
陈俊宏
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陈俊宏
;
李兆颖
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李兆颖
;
周来平
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周来平
.
中国专利
:CN115142132A
,2022-10-04
[2]
碳化硅晶体生长方法、装置及碳化硅晶体
[P].
侯磊
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机构:
通威微电子有限公司
通威微电子有限公司
侯磊
.
中国专利
:CN120401012A
,2025-08-01
[3]
碳化硅晶体生长方法、装置及碳化硅晶体
[P].
侯磊
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机构:
通威微电子有限公司
通威微电子有限公司
侯磊
.
中国专利
:CN120465104A
,2025-08-12
[4]
大尺寸碳化硅晶体生长装置
[P].
戚祖强
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戚祖强
;
肖锦先
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肖锦先
;
李海军
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李海军
;
卢万佳
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卢万佳
;
黄金平
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黄金平
;
刘勇
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刘勇
;
汪志超
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汪志超
.
中国专利
:CN209522952U
,2019-10-22
[5]
一种碳化硅晶体生长装置及碳化硅晶体生长方法
[P].
郭超
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郭超
;
母凤文
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母凤文
.
中国专利
:CN114481293A
,2022-05-13
[6]
碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体
[P].
林育仪
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机构:
通威微电子有限公司
通威微电子有限公司
林育仪
;
廖建成
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机构:
通威微电子有限公司
通威微电子有限公司
廖建成
;
陈增强
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机构:
通威微电子有限公司
通威微电子有限公司
陈增强
;
余明轩
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机构:
通威微电子有限公司
通威微电子有限公司
余明轩
.
中国专利
:CN116695238B
,2024-03-22
[7]
碳化硅晶体生长装置、方法及碳化硅晶体
[P].
刘曦
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机构:
通威微电子有限公司
通威微电子有限公司
刘曦
.
中国专利
:CN116815320B
,2024-01-12
[8]
碳化硅晶体生长用石墨组件及碳化硅晶体生长装置
[P].
钱昊
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机构:
苏州清研半导体科技有限公司
苏州清研半导体科技有限公司
钱昊
;
梁刚强
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机构:
苏州清研半导体科技有限公司
苏州清研半导体科技有限公司
梁刚强
;
苏奕霖
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机构:
苏州清研半导体科技有限公司
苏州清研半导体科技有限公司
苏奕霖
;
李强
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机构:
苏州清研半导体科技有限公司
苏州清研半导体科技有限公司
李强
;
杨倩倩
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机构:
苏州清研半导体科技有限公司
苏州清研半导体科技有限公司
杨倩倩
.
中国专利
:CN220433065U
,2024-02-02
[9]
碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置
[P].
徐良
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徐良
;
蓝文安
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蓝文安
;
刘建哲
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刘建哲
;
余雅俊
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余雅俊
;
李京波
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李京波
;
夏建白
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夏建白
;
陈素春
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陈素春
.
中国专利
:CN215404657U
,2022-01-04
[10]
碳化硅晶体生长装置
[P].
燕靖
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机构:
江苏集芯先进材料有限公司
江苏集芯先进材料有限公司
燕靖
.
中国专利
:CN118704083A
,2024-09-27
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