新型静电场描绘仪

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620250351.2

申请日：

2016-03-28

公开(公告)号：

CN205645059U

公开(公告)日：

2016-10-12

发明(设计)人：

孟超

申请人：

申请人地址：

261061 山东省潍坊市东风东街5147号潍坊学院

IPC主分类号：

G09B2318

IPC分类号：

代理机构：

代理人：

法律状态：

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国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-12	授权	授权
2018-04-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G09B 23/18 申请日:20160328 授权公告日:20161012 终止日期:20170328

共 50 条

[1]

新型静电场描绘仪 [P].

石明吉 ;

王生钊 ;

刘忠超 ;

丁淑娟 ;

郝清海 .

中国专利 :CN104408997B ,2015-03-11

[2]

静电场描绘仪 [P].

寇国栋 ;

杨卫东 .

中国专利 :CN217521688U ,2022-09-30

[3]

静电场描绘仪 [P].

代伟 ;

李宁 ;

肖顺文 .

中国专利 :CN101937624A ,2011-01-05

[4]

一种静电场描绘仪 [P].

胡广兴 ;

赵利鹏 ;

刘静 ;

程显中 ;

严雪琴 ;

董丽娜 ;

王翀 ;

石路 .

中国专利 :CN201166935Y ,2008-12-17

[5]

静电场描绘仪 [P].

胡广兴 ;

唐嘉鸣 ;

杜安 ;

刘国良 ;

刘勃然 ;

郭秀华 ;

白质明 ;

何砚发 .

中国专利 :CN101231796B ,2008-07-30

[6]

一种静电场描绘仪 [P].

孟旭东 ;

王东卿 ;

郑国玺 ;

段晓晨 ;

李泽龙 .

中国专利 :CN210223232U ,2020-03-31

[7]

导电微晶静电场描绘仪 [P].

金惠根 .

中国专利 :CN2752881Y ,2006-01-18

[8]

模拟静电场描绘仪 [P].

李明卉 ;

赵思远 ;

马智浩 ;

万晓航 ;

边冲冲 ;

董世颖 .

中国专利 :CN223092499U ,2025-07-11

[9]

一种双层静电场描绘仪 [P].

杨桂考 ;

张晴 ;

张洪海 ;

韦艳 ;

任永强 ;

陈丽 .

中国专利 :CN203966411U ,2014-11-26

[10]

自动化静电场描绘仪 [P].

赵娟 ;

祁红飞 ;

黄开龙 ;

熊泽本 ;

高正明 ;

刘力铭 ;

张余栋 .

中国专利 :CN109584693A ,2019-04-05

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