静电场描绘仪

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810010213.7

申请日：

2008-01-24

公开(公告)号：

CN101231796B

公开(公告)日：

2008-07-30

发明(设计)人：

胡广兴唐嘉鸣杜安刘国良刘勃然郭秀华白质明何砚发

申请人：

申请人地址：

110004 辽宁省沈阳市和平区文化路3号巷11号

IPC主分类号：

G09B2318

IPC分类号：

G06T1100

代理机构：

沈阳东大专利代理有限公司 21109

代理人：

刘晓岚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-09-24	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-07-30	公开	公开
2011-05-11	授权	授权
2013-03-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101416717788 IPC(主分类):G09B 23/18 专利号:ZL2008100102137 申请日:20080124 授权公告日:20110511 终止日期:20120124

共 50 条

[1]

静电场描绘仪 [P].

寇国栋 ;

杨卫东 .

中国专利 :CN217521688U ,2022-09-30

[2]

静电场描绘仪 [P].

代伟 ;

李宁 ;

肖顺文 .

中国专利 :CN101937624A ,2011-01-05

[3]

新型静电场描绘仪 [P].

石明吉 ;

王生钊 ;

刘忠超 ;

丁淑娟 ;

郝清海 .

中国专利 :CN104408997B ,2015-03-11

[4]

模拟静电场描绘仪 [P].

陈光伟 ;

文景 ;

曾宪红 ;

杨国慧 ;

文宽逸 ;

文广为 .

中国专利 :CN203276679U ,2013-11-06

[5]

新型静电场描绘仪 [P].

孟超 .

中国专利 :CN205645059U ,2016-10-12

[6]

导电微晶静电场描绘仪 [P].

金惠根 .

中国专利 :CN2752881Y ,2006-01-18

[7]

自动化静电场描绘仪 [P].

赵娟 ;

祁红飞 ;

黄开龙 ;

熊泽本 ;

高正明 ;

刘力铭 ;

张余栋 .

中国专利 :CN109584693A ,2019-04-05

[8]

一种静电场描绘仪 [P].

胡广兴 ;

赵利鹏 ;

刘静 ;

程显中 ;

严雪琴 ;

董丽娜 ;

王翀 ;

石路 .

中国专利 :CN201166935Y ,2008-12-17

[9]

单层直读式静电场描绘仪 [P].

南引明 .

中国专利 :CN2160965Y ,1994-04-06

[10]

一种静电场描绘仪 [P].

孟旭东 ;

王东卿 ;

郑国玺 ;

段晓晨 ;

李泽龙 .

中国专利 :CN210223232U ,2020-03-31

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