一种氮化镓基LED外延片及其生长方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN200810229846.7
申请日
2008-12-16
公开(公告)号
CN101752480A
公开(公告)日
2010-06-23
发明(设计)人
杨天鹏 郭文平 陈向东 刘海燕 肖志国
申请人
申请人地址
116025 辽宁省大连市高新园区七贤岭高能街1号
IPC主分类号
H01L3300
IPC分类号
代理机构
代理人
法律状态
文件的公告送达
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
一种氮化镓基LED外延片及其生长方法 [P]. 
高凡 ;
杨天鹏 ;
郭文平 ;
陈向东 ;
柴旗 ;
肖志国 .
中国专利 :CN101847673A ,2010-09-29
[2]
一种氮化镓基LED外延片及其生长方法 [P]. 
王东盛 ;
刘俊 ;
关秋云 ;
周德保 ;
肖志国 .
中国专利 :CN102194939B ,2011-09-21
[3]
一种氮化镓基LED外延片及其生长方法 [P]. 
肖云飞 ;
舒辉 ;
吕蒙普 ;
胡加辉 .
中国专利 :CN106410005B ,2017-02-15
[4]
一种氮化镓基LED外延片的生长方法 [P]. 
聂虎臣 ;
叶明发 ;
涂逵 .
中国专利 :CN104241473A ,2014-12-24
[5]
一种氮化镓基LED外延片的生长方法 [P]. 
蔡金 ;
王辉 ;
傅华 ;
张博 ;
陈柏君 ;
吴思 ;
孔俊杰 ;
王怀兵 .
中国专利 :CN103730554B ,2014-04-16
[6]
一种氮化镓基LED外延片及其生产方法 [P]. 
郭丽彬 ;
李刚 ;
刘仁锁 ;
蒋利民 .
中国专利 :CN103208571A ,2013-07-17
[7]
一种氮化镓基外延片及生长方法 [P]. 
肖志国 ;
展望 ;
杨天鹏 ;
关秋云 ;
张博 ;
武胜利 .
中国专利 :CN106098886A ,2016-11-09
[8]
一种氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED外延片及其生长方法 [P]. 
季辉 ;
梁智勇 ;
艾建军 ;
戚运东 ;
罗正加 .
中国专利 :CN101980384B ,2011-02-23
[9]
一种氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED外延片及其生长方法 [P]. 
季辉 ;
梁智勇 ;
艾建军 ;
林振贤 ;
何大庆 .
中国专利 :CN101980383B ,2011-02-23
[10]
无裂纹硅基氮化镓HEMT外延片及其生长方法 [P]. 
孙文红 ;
李磊 .
中国专利 :CN118571922A ,2024-08-30