一种氮化镓基外延片及生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210310935.0

申请日：

2012-08-29

公开(公告)号：

CN106098886A

公开(公告)日：

2016-11-09

发明(设计)人：

肖志国展望杨天鹏关秋云张博武胜利

申请人：

申请人地址：

116025 辽宁省大连市高新区高能街1号

IPC主分类号：

H01L3310

IPC分类号：

H01L3300 C30B2516

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-09	公开	公开
2016-12-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101692482851 IPC(主分类):H01L 33/10 专利申请号:2012103109350 申请日:20120829
2018-11-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 33/10 申请公布日:20161109

共 50 条

[1]

一种氮化镓基LED外延片的生长方法 [P].

聂虎臣 ;

叶明发 ;

涂逵 .

中国专利 :CN104241473A ,2014-12-24

[2]

一种氮化镓基LED外延片的生长方法 [P].

蔡金 ;

王辉 ;

傅华 ;

张博 ;

陈柏君 ;

吴思 ;

孔俊杰 ;

王怀兵 .

中国专利 :CN103730554B ,2014-04-16

[3]

一种氮化镓基LED外延片及其生长方法 [P].

杨天鹏 ;

郭文平 ;

陈向东 ;

刘海燕 ;

肖志国 .

中国专利 :CN101752480A ,2010-06-23

[4]

一种氮化镓基LED外延片及其生长方法 [P].

肖云飞 ;

舒辉 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN106410005B ,2017-02-15

[5]

一种氮化镓基LED外延片及其生长方法 [P].

高凡 ;

杨天鹏 ;

郭文平 ;

陈向东 ;

柴旗 ;

肖志国 .

中国专利 :CN101847673A ,2010-09-29

[6]

一种氮化镓基LED外延片及其生长方法 [P].

王东盛 ;

刘俊 ;

关秋云 ;

周德保 ;

肖志国 .

中国专利 :CN102194939B ,2011-09-21

[7]

氮化镓外延片、外延方法及氮化镓基晶体管 [P].

郭艳敏 ;

房玉龙 ;

尹甲运 ;

张志荣 ;

王波 ;

李佳 ;

芦伟立 ;

高楠 ;

冯志红 .

中国专利 :CN108155224A ,2018-06-12

[8]

一种氮化镓外延片及其外延片的生长方法 [P].

李利哲 ;

王国斌 .

中国专利 :CN113818087A ,2021-12-21

[9]

一种氮化镓外延片生长基盘 [P].

胡晓海 .

中国专利 :CN220318037U ,2024-01-09

[10]

一种氮化镓基LED外延层的生长方法 [P].

田洪涛 .

中国专利 :CN102465334A ,2012-05-23

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