一种氮化镓外延片生长基盘

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN202321722918.8

申请日：

2023-07-03

公开(公告)号：

CN220318037U

公开(公告)日：

2024-01-09

发明(设计)人：

胡晓海

申请人：

苏州中科重仪半导体材料有限公司

申请人地址：

215200 江苏省苏州市吴江区江陵街道厍浜村新浜路99号

IPC主分类号：

C30B23/02

IPC分类号：

C30B25/12 C30B29/40

代理机构：

苏州衡创知识产权代理事务所(普通合伙) 32329

代理人：

陈娇

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省苏州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-09	授权	授权

共 50 条

[1]

外延片生长基盘 [P].

邓顺达 ;

林溪汉 ;

黄英杰 .

中国专利 :CN203474961U ,2014-03-12

[2]

一种氮化镓外延片生长用基座 [P].

谢自力 .

中国专利 :CN222119471U ,2024-12-06

[3]

一种氮化镓基外延片及生长方法 [P].

肖志国 ;

展望 ;

杨天鹏 ;

关秋云 ;

张博 ;

武胜利 .

中国专利 :CN106098886A ,2016-11-09

[4]

一种氮化镓基LED外延片的生长方法 [P].

聂虎臣 ;

叶明发 ;

涂逵 .

中国专利 :CN104241473A ,2014-12-24

[5]

一种氮化镓基LED外延片的生长方法 [P].

蔡金 ;

王辉 ;

傅华 ;

张博 ;

陈柏君 ;

吴思 ;

孔俊杰 ;

王怀兵 .

中国专利 :CN103730554B ,2014-04-16

[6]

氮化镓外延片、外延方法及氮化镓基晶体管 [P].

郭艳敏 ;

房玉龙 ;

尹甲运 ;

张志荣 ;

王波 ;

李佳 ;

芦伟立 ;

高楠 ;

冯志红 .

中国专利 :CN108155224A ,2018-06-12

[7]

一种基于非晶衬底选区外延生长氮化镓外延片的方法及氮化镓外延片 [P].

姜平 .

中国专利 :CN120344048A ,2025-07-18

[8]

一种氮化镓基LED外延片及其生长方法 [P].

杨天鹏 ;

郭文平 ;

陈向东 ;

刘海燕 ;

肖志国 .

中国专利 :CN101752480A ,2010-06-23

[9]

一种氮化镓基LED外延片及其生长方法 [P].

肖云飞 ;

舒辉 ;

吕蒙普 ;

胡加辉 .

中国专利 :CN106410005B ,2017-02-15

[10]

一种氮化镓基LED外延片及其生长方法 [P].

王东盛 ;

刘俊 ;

关秋云 ;

周德保 ;

肖志国 .

中国专利 :CN102194939B ,2011-09-21

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