一种基于非晶衬底选区外延生长氮化镓外延片的方法及氮化镓外延片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311548385.0

申请日：

2023-11-20

公开(公告)号：

CN120344048A

公开(公告)日：

2025-07-18

发明(设计)人：

姜平

申请人：

西湖烟山科技（杭州）有限公司

申请人地址：

310030 浙江省杭州市西湖区三墩镇智强路428号云创镓谷研发中心6号楼5层

IPC主分类号：

H10H20/01

IPC分类号：

C30B28/12 C30B28/14 C30B29/02 C30B29/18 C30B29/40 H10H20/825 H01L21/02

代理机构：

北京品源专利代理有限公司 11332

代理人：

赵颖

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/01申请日:20231120
2025-07-18	公开	公开

共 50 条

[1]

用于外延生长氮化镓晶体的复合衬底及氮化镓外延结构 [P].

王国斌 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN213459739U ,2021-06-15

[2]

氮化镓外延片、外延方法及氮化镓基晶体管 [P].

郭艳敏 ;

房玉龙 ;

尹甲运 ;

张志荣 ;

王波 ;

李佳 ;

芦伟立 ;

高楠 ;

冯志红 .

中国专利 :CN108155224A ,2018-06-12

[3]

一种氮化镓外延层的制备方法及氮化镓外延片结构 [P].

李利哲 ;

刘宗亮 .

中国专利 :CN113643962B ,2021-11-12

[4]

氮化镓外延片的钝化方法 [P].

王波 ;

房玉龙 ;

尹甲运 ;

张志荣 ;

郭艳敏 ;

李佳 ;

芦伟立 ;

冯志红 .

中国专利 :CN107644813A ,2018-01-30

[5]

一种氮化镓外延片及其外延片的生长方法 [P].

李利哲 ;

王国斌 .

中国专利 :CN113818087A ,2021-12-21

[6]

氧化镓外延片制备方法、外延生长系统及氧化镓外延片 [P].

李贺 ;

董增印 ;

王英民 ;

程红娟 ;

张嵩 ;

王双 .

中国专利 :CN119230387B ,2025-04-22

[7]

氧化镓外延片制备方法、外延生长系统及氧化镓外延片 [P].

李贺 ;

董增印 ;

王英民 ;

程红娟 ;

张嵩 ;

王双 .

中国专利 :CN119230387A ,2024-12-31

[8]

同质外延氮化镓衬底处理方法及氮化镓衬底 [P].

王元刚 ;

冯志红 ;

吕元杰 ;

张志荣 ;

周幸叶 ;

谭鑫 ;

宋旭波 ;

梁士雄 .

中国专利 :CN110797259B ,2020-02-14

[9]

一种氮化镓外延片生长用基座 [P].

谢自力 .

中国专利 :CN222119471U ,2024-12-06

[10]

一种氮化镓外延片生长基盘 [P].

胡晓海 .

中国专利 :CN220318037U ,2024-01-09

← 1 2 3 4 5 →