氧化镓外延片制备方法、外延生长系统及氧化镓外延片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411774436.6

申请日：

2024-12-05

公开(公告)号：

CN119230387A

公开(公告)日：

2024-12-31

发明(设计)人：

李贺董增印王英民程红娟张嵩王双

申请人：

中国电子科技集团公司第四十六研究所

申请人地址：

300220 天津市河西区洞庭路26号

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

H01L29/24 C23C16/02

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

刘少卿

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-22	授权	授权
2024-12-31	公开	公开
2025-01-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20241205

共 50 条

[1]

氧化镓外延片制备方法、外延生长系统及氧化镓外延片 [P].

李贺 ;

董增印 ;

王英民 ;

程红娟 ;

张嵩 ;

王双 .

中国专利 :CN119230387B ,2025-04-22

[2]

氧化镓外延薄膜及生长氧化镓外延薄膜的方法 [P].

修向前 ;

许万里 ;

施佳诚 ;

李悦文 ;

谢自力 ;

张荣 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN112420491A ,2021-02-26

[3]

一种氧化镓外延片制备方法及碳化硅基氧化镓外延片 [P].

芦伟立 ;

房玉龙 ;

郝文嘉 ;

李帅 ;

王健 ;

高楠 ;

张志荣 ;

王波 ;

陈宏泰 .

中国专利 :CN118053738A ,2024-05-17

[4]

n型锗掺杂的氧化镓外延薄膜制备方法及氧化镓外延片 [P].

王宏伟 ;

吕建华 ;

张晗 .

中国专利 :CN121237645A ,2025-12-30

[5]

氧化镓的外延生长方法 [P].

黄小辉 ;

林桂荣 ;

刘润可 ;

田吻 .

中国专利 :CN120797194B ,2025-12-02

[6]

氧化镓的外延生长方法 [P].

黄小辉 ;

林桂荣 ;

刘润可 ;

田吻 .

中国专利 :CN120797194A ,2025-10-17

[7]

氧化镓的异质外延生长方法 [P].

黄小辉 ;

林桂荣 ;

刘润可 ;

田吻 .

中国专利 :CN120797195B ,2025-12-02

[8]

氧化镓的异质外延生长方法 [P].

黄小辉 ;

林桂荣 ;

刘润可 ;

田吻 .

中国专利 :CN120797195A ,2025-10-17

[9]

氧化镓材料的外延生长方法及氧化镓外延结构、紫外探测器件 [P].

郭丽彬 ;

周大勇 ;

李春红 ;

赵文超 ;

祝曾伟 .

中国专利 :CN120174475A ,2025-06-20

[10]

氧化镓材料的外延生长方法及氧化镓外延结构、紫外探测器件 [P].

郭丽彬 ;

周大勇 ;

李春红 ;

赵文超 ;

祝曾伟 .

中国专利 :CN120174475B ,2025-08-12

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