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一种氧化镓外延片制备方法及碳化硅基氧化镓外延片

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410054141.5
申请日：
2024-01-15
公开(公告)号：
CN118053738A
公开(公告)日：
2024-05-17
发明(设计)人：
芦伟立 房玉龙 郝文嘉 李帅 王健 高楠 张志荣 王波 陈宏泰
申请人：
中国电子科技集团公司第十三研究所
申请人地址：
050051 河北省石家庄市合作路113号
IPC主分类号：
H01L21/02
IPC分类号：
C23C16/18 C23C16/455 C23C16/40 C23C16/56
代理机构：
石家庄国为知识产权事务所 13120
代理人：
刘少卿
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-05-17 公开 公开
2024-06-04 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20240115
共 50 条
[1]
氧化镓外延片制备方法、外延生长系统及氧化镓外延片 [P]. 
李贺 ;
董增印 ;
王英民 ;
程红娟 ;
张嵩 ;
王双 .
中国专利 :CN119230387B ,2025-04-22
[2]
氧化镓外延片制备方法、外延生长系统及氧化镓外延片 [P]. 
李贺 ;
董增印 ;
王英民 ;
程红娟 ;
张嵩 ;
王双 .
中国专利 :CN119230387A ,2024-12-31
[3]
碳化硅外延氧化镓薄膜方法及碳化硅外延氧化镓薄膜结构 [P]. 
贾仁需 ;
于淼 ;
余建刚 ;
王卓 .
中国专利 :CN110896024A ,2020-03-20
[4]
一种碳化硅外延氧化镓薄膜及其制备方法 [P]. 
袁书文 ;
李京波 ;
张梦龙 ;
孙一鸣 ;
张海平 ;
罗昆明 .
中国专利 :CN120400981B ,2025-09-09
[5]
一种碳化硅外延氧化镓薄膜及其制备方法 [P]. 
袁书文 ;
李京波 ;
张梦龙 ;
孙一鸣 ;
张海平 ;
罗昆明 .
中国专利 :CN120400981A ,2025-08-01
[6]
碳化硅外延片的生长方法及碳化硅外延片 [P]. 
张士良 ;
冯尹 ;
张鹏 ;
马万里 ;
钟泳生 .
中国专利 :CN120967508A ,2025-11-18
[7]
n型锗掺杂的氧化镓外延薄膜制备方法及氧化镓外延片 [P]. 
王宏伟 ;
吕建华 ;
张晗 .
中国专利 :CN121237645A ,2025-12-30
[8]
碳化硅外延片及其制备方法 [P]. 
郭禹泽 ;
区灿林 ;
周维 .
中国专利 :CN117855025A ,2024-04-09
[9]
碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备 [P]. 
李哲洋 ;
王迦卉 ;
于乐 ;
金锐 .
中国专利 :CN119877095B ,2025-08-08
[10]
碳化硅外延片的制备方法和碳化硅外延生长设备 [P]. 
李哲洋 ;
王迦卉 ;
于乐 ;
金锐 .
中国专利 :CN119877095A ,2025-04-25
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