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高电子迁移率晶体管的制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201210343034.1
申请日：
2012-09-14
公开(公告)号：
CN103681323A
公开(公告)日：
2014-03-26
发明(设计)人：
包琦龙
邓坚
罗军
赵超
申请人：
申请人地址：
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号：
H01L21335
IPC分类号：
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
王宝筠
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2014-03-26 | 公开 | 公开 |
| 2014-04-23 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581686307 IPC(主分类):H01L 21/335 专利申请号:2012103430341 申请日:20120914 |
| 2016-06-08 | 授权 | 授权 |
| 2019-12-27 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/335 登记生效日:20191206 变更事项:专利权人 变更前权利人:中国科学院微电子研究所 变更后权利人:江苏中科汉韵半导体有限公司 变更事项:地址 变更前权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号 变更后权利人:221000 江苏省徐州市徐州经济技术开发区创业路26号A-2厂房1F-2F |