一种碳包覆硅纳米颗粒及其制备方法、应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202011097905.7
申请日
2020-10-14
公开(公告)号
CN112234173A
公开(公告)日
2021-01-15
发明(设计)人
梁风 张达 杨泻铖 马文会 杨斌 戴永年
申请人
申请人地址
650093 云南省昆明市学府路253号昆明理工大学真空冶金国家工程实验室
IPC主分类号
H01M436
IPC分类号
H01M438 H01M462 H01M100525 B82Y3000 B82Y4000
代理机构
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268
代理人
徐凯凯;谢松
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
一种碳包覆硅纳米颗粒材料及其制备方法和应用 [P]. 
锁国权 ;
程妍 ;
张佳琪 ;
侯小江 ;
冯雷 ;
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中国专利 :CN112582620A ,2021-03-30
[2]
一种氮掺杂碳包覆硅纳米颗粒复合材料、制备方法及应用 [P]. 
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梁瑾 ;
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[3]
一种硬碳包覆硅纳米颗粒复合微球负极材料及其制备方法与应用 [P]. 
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[4]
一种碳包覆镍纳米颗粒及其制备方法 [P]. 
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荣峻峰 ;
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[5]
碳包覆稀土合金纳米颗粒及其制备方法和应用 [P]. 
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刘孝莲 ;
孙卓 ;
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[6]
多孔碳包覆硅的硅碳复合负极材料及其制备方法和应用 [P]. 
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宁凡雨 ;
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于智航 ;
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[7]
一种原位碳包覆室温液态金属纳米颗粒及其制备方法与应用 [P]. 
蒋建中 ;
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曹庆平 ;
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[8]
一种多层包覆的硅碳材料及其制备方法和应用 [P]. 
杜洪彦 ;
田晓录 ;
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[9]
一种碳包覆硅的复合材料的制备方法及其应用 [P]. 
孙传福 ;
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[10]
石墨烯支撑的碳包覆硅纳米颗粒复合电极材料的制备方法 [P]. 
章俊良 ;
吴若飞 ;
夏国锋 ;
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符策煌 ;
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中国专利 :CN106058181A ,2016-10-26