MOSFET电子开关驱动电路

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620986306.3

申请日：

2016-08-30

公开(公告)号：

CN206135864U

公开(公告)日：

2017-04-26

发明(设计)人：

陈鹏黄学军于辉

申请人：

申请人地址：

215011 江苏省苏州市高新区金山路198号安达科技园2号楼

IPC主分类号：

H03K17687

IPC分类号：

H03K17693 H03K513

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

马明渡;王健

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-26	授权	授权

共 50 条

[1]

MOSFET电子开关驱动电路 [P].

陈鹏 ;

黄学军 ;

于辉 .

中国专利 :CN106209044A ,2016-12-07

[2]

任意脉宽MOSFET电子开关驱动电路 [P].

陈鹏 ;

黄学军 ;

于辉 .

中国专利 :CN206023568U ,2017-03-15

[3]

任意脉宽MOSFET电子开关驱动电路 [P].

陈鹏 ;

黄学军 ;

于辉 .

中国专利 :CN106208631A ,2016-12-07

[4]

超快速MOSFET电子开关驱动电路 [P].

陈鹏 ;

黄学军 ;

于辉 .

中国专利 :CN206023569U ,2017-03-15

[5]

超快速MOSFET电子开关驱动电路 [P].

陈鹏 ;

黄学军 ;

于辉 .

中国专利 :CN106130320B ,2016-11-16

[6]

紧凑型电子开关驱动电路 [P].

刘顺坤 ;

于辉 ;

黄学军 .

中国专利 :CN109495098B ,2019-03-19

[7]

任意脉宽型低功率电子开关 [P].

刘顺坤 ;

于辉 ;

黄学军 .

中国专利 :CN109495099B ,2019-03-19

[8]

高压纳秒级上升沿MOSFET电子开关 [P].

陈鹏 ;

于辉 ;

黄学军 .

中国专利 :CN105958989A ,2016-09-21

[9]

开关驱动电路及电子开关 [P].

曹志强 .

中国专利 :CN210297672U ,2020-04-10

[10]

MOSFET半桥驱动电路 [P].

唐杰 .

中国专利 :CN203840191U ,2014-09-17

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