任意脉宽MOSFET电子开关驱动电路

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620987512.6

申请日：

2016-08-30

公开(公告)号：

CN206023568U

公开(公告)日：

2017-03-15

发明(设计)人：

陈鹏黄学军于辉

申请人：

申请人地址：

215011 江苏省苏州市高新区金山路198号安达科技园2号楼

IPC主分类号：

H02M108

IPC分类号：

代理机构：

苏州创元专利商标事务所有限公司 32103

代理人：

马明渡;王健

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-15	授权	授权
2019-07-23	避免重复授权放弃专利权	避免重复授予专利权 IPC(主分类):H02M 1/08 申请日:20160830 授权公告日:20170315 放弃生效日:20190723

共 50 条

[1]

任意脉宽MOSFET电子开关驱动电路 [P].

陈鹏 ;

黄学军 ;

于辉 .

中国专利 :CN106208631A ,2016-12-07

[2]

MOSFET电子开关驱动电路 [P].

陈鹏 ;

黄学军 ;

于辉 .

中国专利 :CN206135864U ,2017-04-26

[3]

MOSFET电子开关驱动电路 [P].

陈鹏 ;

黄学军 ;

于辉 .

中国专利 :CN106209044A ,2016-12-07

[4]

任意脉宽型低功率电子开关 [P].

刘顺坤 ;

于辉 ;

黄学军 .

中国专利 :CN109495099B ,2019-03-19

[5]

超快速MOSFET电子开关驱动电路 [P].

陈鹏 ;

黄学军 ;

于辉 .

中国专利 :CN206023569U ,2017-03-15

[6]

超快速MOSFET电子开关驱动电路 [P].

陈鹏 ;

黄学军 ;

于辉 .

中国专利 :CN106130320B ,2016-11-16

[7]

紧凑型电子开关驱动电路 [P].

刘顺坤 ;

于辉 ;

黄学军 .

中国专利 :CN109495098B ,2019-03-19

[8]

一种脉宽可调的同步驱动MOSFET电子开关 [P].

赵大勇 ;

宋海杰 ;

杨润泽 .

中国专利 :CN217282898U ,2022-08-23

[9]

高压纳秒级上升沿MOSFET电子开关 [P].

陈鹏 ;

于辉 ;

黄学军 .

中国专利 :CN105958989A ,2016-09-21

[10]

宽禁带MOSFET管驱动电路 [P].

陈启宏 ;

肖刚 ;

陈凯风 ;

张立炎 ;

周克亮 ;

肖朋 ;

刘莉 .

中国专利 :CN111614235A ,2020-09-01

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