宽禁带MOSFET管驱动电路

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010486521.8

申请日：

2020-06-01

公开(公告)号：

CN111614235A

公开(公告)日：

2020-09-01

发明(设计)人：

陈启宏肖刚陈凯风张立炎周克亮肖朋刘莉

申请人：

申请人地址：

430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号

IPC主分类号：

H02M108

IPC分类号：

H02M144 H03K1716 H03K17689

代理机构：

武汉开元知识产权代理有限公司 42104

代理人：

刘琳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-01	公开	公开
2020-09-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H02M 1/08 申请日:20200601

共 50 条

[1]

任意脉宽MOSFET电子开关驱动电路 [P].

陈鹏 ;

黄学军 ;

于辉 .

中国专利 :CN106208631A ,2016-12-07

[2]

任意脉宽MOSFET电子开关驱动电路 [P].

陈鹏 ;

黄学军 ;

于辉 .

中国专利 :CN206023568U ,2017-03-15

[3]

基于宽禁带功率器件的负压关断驱动电路 [P].

李艳 ;

陈建贵 ;

黄先进 ;

郭希铮 ;

杨晓峰 ;

王琛琛 ;

赵方玮 ;

杨帅飞 ;

王鹏程 ;

罗有纲 .

中国专利 :CN111865053A ,2020-10-30

[4]

一种适用于宽禁带功率器件的高效驱动电路 [P].

王振民 ;

范文艳 ;

谢芳祥 .

中国专利 :CN108173419A ,2018-06-15

[5]

一种适用于宽禁带功率器件的高效驱动电路 [P].

王振民 ;

范文艳 ;

谢芳祥 .

中国专利 :CN207926431U ,2018-09-28

[6]

抑制驱动电压尖峰的MOSfet管驱动电路 [P].

肖志强 .

中国专利 :CN118554926A ,2024-08-27

[7]

碳化硅MOSFET驱动电路 [P].

罗寅 ;

张胜 ;

谭在超 ;

丁国华 .

中国专利 :CN218006226U ,2022-12-09

[8]

功率MOSFET驱动电路 [P].

王顺兴 ;

陈家词 .

中国专利 :CN204304964U ,2015-04-29

[9]

碳化硅MOSFET驱动电路 [P].

罗寅 ;

张胜 ;

谭在超 ;

丁国华 .

中国专利 :CN114826234A ,2022-07-29

[10]

SiC MOSFET驱动电路 [P].

赵凤俭 .

中国专利 :CN220896521U ,2024-05-03

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