Ti/SnO2电极及制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410802124.1

申请日：

2014-12-19

公开(公告)号：

CN104528890A

公开(公告)日：

2015-04-22

发明(设计)人：

杨波蒋超金余刚邓述波刘剑洪

申请人：

申请人地址：

518060 广东省深圳市南山区南海大道3688号

IPC主分类号：

C02F1461

IPC分类号：

C02F10130

代理机构：

深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312

代理人：

陈健

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-02	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C02F 1/461 申请日:20141219 授权公告日:20170118 终止日期:20211219
2015-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101609915787 IPC(主分类):C02F 1/461 专利申请号:2014108021241 申请日:20141219
2017-01-18	授权	授权
2015-04-22	公开	公开

共 50 条

[1]

SnO2(Cu)单晶薄膜及其制备方法和应用 [P].

何云斌 ;

黎明锴 ;

刘凤新 ;

卢寅梅 ;

陈剑 ;

尹向阳 ;

郭启利 ;

李永昌 ;

刘伟 ;

邓云 .

中国专利 :CN114134569A ,2022-03-04

[2]

一种黑色SnO2及其制备方法和应用 [P].

朱青 ;

陈晓露 ;

李磊磊 ;

杨丽 .

中国专利 :CN111087013A ,2020-05-01

[3]

一种SnO2电极的制备方法及其用途 [P].

徐泽升 ;

曹国志 ;

於方 ;

朱文英 ;

王鲲鹏 ;

周夏飞 .

中国专利 :CN110092449A ,2019-08-06

[4]

一种Pd/SnO2纳米球及其制备方法和应用 [P].

乔秀清 ;

李东升 ;

赵君 ;

侯东芳 ;

吴亚盘 ;

董文文 .

中国专利 :CN107285373B ,2017-10-24

[5]

p型透明导电SnO2半导体薄膜及其制备方法和应用 [P].

何云斌 ;

黎明锴 ;

付旺 ;

叶盼 ;

刘博涵 ;

肖兴林 ;

魏浩然 ;

尹魏玲 ;

卢寅梅 ;

常钢 .

中国专利 :CN112210755B ,2021-01-12

[6]

一种掺杂SnO2的浆料及其制备方法和应用 [P].

姚英邦 ;

毕道广 .

中国专利 :CN109932401A ,2019-06-25

[7]

一种二维多孔CeOx/SnO2纳米片及其制备方法和应用 [P].

杨玄宇 ;

张永辉 ;

史雅童 ;

岳丽娟 ;

巩飞龙 ;

陈俊利 ;

方少明 ;

张浩力 ;

刘战群 .

中国专利 :CN113912104A ,2022-01-11

[8]

一种分级核壳SnO2微球及其制备方法和应用 [P].

刘善堂 ;

郑力 ;

毕文杰 .

中国专利 :CN110606504B ,2019-12-24

[9]

SnO2包覆羰基铁粉复合材料及其制备方法和应用 [P].

万怡灶 ;

吴晓冰 ;

罗红林 ;

李群英 .

中国专利 :CN102627946A ,2012-08-08

[10]

一种不同尺寸SnO2空心纳米球的制备方法和应用 [P].

朱宝华 ;

王桂霞 ;

张智豪 ;

顾玉宗 .

中国专利 :CN109455757A ,2019-03-12

← 1 2 3 4 5 →