高分子基导电复合材料及PTC元件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280027372.2

申请日：

2012-12-24

公开(公告)号：

CN103797548B

公开(公告)日：

2014-05-14

发明(设计)人：

杨铨铨刘正平方勇刘玉堂刘利锋王炜高道华龚炫王军

申请人：

申请人地址：

201202 上海市浦东新区施湾七路1001号

IPC主分类号：

H01C702

IPC分类号：

H01C1702

代理机构：

上海东亚专利商标代理有限公司 31208

代理人：

董梅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-04-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101607304013 IPC(主分类):H01C 7/02 专利申请号:2012800273722 申请日:20121224
2016-12-07	授权	授权
2014-05-14	公开	公开
2020-02-21	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01C 7/02 变更事项:专利权人变更前:上海长园维安电子线路保护有限公司变更后:上海维安电子有限公司变更事项:地址变更前:201202 上海市浦东新区施湾七路1001号变更后:200083 上海市虹口区柳营路125号8楼806

共 50 条

[1]

高分子基导电复合材料及PTC元件 [P].

杨铨铨 ;

刘正平 ;

方勇 ;

刘玉堂 ;

刘利锋 ;

王炜 ;

高道华 ;

龚炫 ;

王军 .

中国专利 :CN102543331A ,2012-07-04

[2]

高分子基导电复合材料及过流保护元件 [P].

方勇 ;

刘利锋 ;

夏坤 ;

高道华 ;

刘玉堂 ;

张伟 ;

吴国臣 .

中国专利 :CN109243667A ,2019-01-18

[3]

聚偏氟乙烯基导电复合材料及PTC元件 [P].

曹清华 ;

赵鑫建 ;

郁益根 ;

赵电 ;

刘正平 ;

黄定兵 ;

吴国臣 ;

张伟 .

中国专利 :CN112210176A ,2021-01-12

[4]

聚合物基导电复合材料及电路保护元件 [P].

杨铨铨 ;

方勇 ;

王炜 ;

刘玉堂 ;

吴国臣 ;

王军 .

中国专利 :CN104910479A ,2015-09-16

[5]

电阻正温度效应导电复合材料及热敏电阻元件 [P].

杨铨铨 ;

刘正平 ;

方勇 ;

刘玉堂 ;

刘利锋 ;

王炜 ;

高道华 ;

龚炫 ;

王军 .

中国专利 :CN102522172A ,2012-06-27

[6]

聚合物基导电复合材料及过流保护元件 [P].

杨铨铨 ;

方勇 ;

刘玉堂 ;

温伟 .

中国专利 :CN104817747A ,2015-08-05

[7]

导电复合材料及由其制备的PTC热敏元件 [P].

杨铨铨 ;

刘正平 ;

刘玉堂 ;

高道华 ;

王军 .

中国专利 :CN102127287A ,2011-07-20

[8]

聚合物基导电复合材料及过流保护元件 [P].

方勇 ;

夏坤 ;

高道华 ;

侯晓旭 ;

潘月秀 ;

邓安甲 ;

张伟 .

中国专利 :CN116162302B ,2025-04-01

[9]

新型PTC导电复合材料及其制备的PTC热敏元件 [P].

王炜 ;

杨铨铨 ;

方勇 ;

熊磊 ;

刘玉堂 ;

刘正平 ;

王军 .

中国专利 :CN103554594A ,2014-02-05

[10]

一种海岛结构导电复合材料及PTC元件 [P].

曹清华 ;

赵鑫建 ;

赵电 ;

郁益根 ;

方明 ;

邓安甲 ;

吴国臣 ;

张伟 .

中国专利 :CN116199964B ,2025-01-10

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