半导体功率开关器件和电子设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710539404.1

申请日：

2017-07-04

公开(公告)号：

CN107395178A

公开(公告)日：

2017-11-24

发明(设计)人：

朱永生裴轶

申请人：

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号西北区2幢311-B室

IPC主分类号：

H03K1716

IPC分类号：

H03K1700

代理机构：

北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371

代理人：

王术兰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-22	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H03K 17/16 申请日:20170704
2020-07-07	授权	授权
2017-11-24	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体器件及其制备方法、功率开关器件、电子设备 [P].

冯思睿 ;

万玉喜 ;

胡浩林 .

中国专利 :CN119767781B ,2025-08-29

[2]

半导体器件及其制备方法、功率开关器件、电子设备 [P].

冯思睿 ;

万玉喜 ;

胡浩林 .

中国专利 :CN119767781A ,2025-04-04

[3]

集成式半导体功率开关器件 [P].

朱永生 ;

裴轶 .

中国专利 :CN106685384A ,2017-05-17

[4]

半导体器件及其制备方法、功率开关器件、电源转换电路、电子设备 [P].

李水明 ;

任远 ;

鲁微 .

中国专利 :CN120603273A ,2025-09-05

[5]

集成式功率开关器件和电子设备 [P].

朱永生 ;

裴轶 .

中国专利 :CN108809284B ,2018-11-13

[6]

半导体开关装置和电子设备 [P].

米歇尔·齐克里 ;

卢卡·贝尔托利尼 ;

帕特里斯·贝塞 ;

玛丽斯·巴夫卢尔 ;

尼古拉斯·诺希尔 .

中国专利 :CN101019319A ,2007-08-15

[7]

高压半导体功率开关器件 [P].

谢潮声 ;

陈安邦 ;

邓志强 .

中国专利 :CN104660250A ,2015-05-27

[8]

功率半导体器件单元、功率半导体模块、电子设备和车辆 [P].

谢月 ;

吴彦 ;

刘宗尧 .

中国专利 :CN119852272A ,2025-04-18

[9]

半导体器件和电子设备 [P].

団野忠敏 ;

土屋勉 .

中国专利 :CN101515578A ,2009-08-26

[10]

半导体器件和电子设备 [P].

団野忠敏 ;

土屋勉 .

中国专利 :CN101093823A ,2007-12-26

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