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半导体器件及其制备方法、功率开关器件、电源转换电路、电子设备

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410236083.8
申请日：
2024-02-29
公开(公告)号：
CN120603273A
公开(公告)日：
2025-09-05
发明(设计)人：
李水明 任远 鲁微
申请人：
华为技术有限公司
申请人地址：
518129 广东省深圳市龙岗区坂田华为总部办公楼
IPC主分类号：
H10D30/47
IPC分类号：
H10D30/01 H10D62/10 H10D62/824 H10D64/23 H01L23/31 H01L21/56
代理机构：
北京中博世达专利商标代理有限公司 11274
代理人：
张娜
法律状态：
公开
国省代码：
广东省 深圳市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-05 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体器件及其制备方法、功率开关器件、电子设备 [P]. 
冯思睿 ;
万玉喜 ;
胡浩林 .
中国专利 :CN119767781B ,2025-08-29
[2]
半导体器件及其制备方法、功率开关器件、电子设备 [P]. 
冯思睿 ;
万玉喜 ;
胡浩林 .
中国专利 :CN119767781A ,2025-04-04
[3]
半导体功率开关器件和电子设备 [P]. 
朱永生 ;
裴轶 .
中国专利 :CN107395178A ,2017-11-24
[4]
半导体器件及其制备方法、功率放大电路、电子设备 [P]. 
张志利 ;
饶进 ;
刘涛 ;
李海军 ;
李水明 ;
鲁明 .
中国专利 :CN117941074A ,2024-04-26
[5]
半导体器件及其制备方法、芯片封装结构、电源转换电路 [P]. 
李利民 ;
姜筝 ;
何莹莹 .
中国专利 :CN117393613A ,2024-01-12
[6]
半导体器件、电子设备、半导体器件的制备方法 [P]. 
郑顶恒 ;
沈桂宇 ;
关赫 ;
李锋 ;
魏巍 ;
张亚文 .
中国专利 :CN120282539A ,2025-07-08
[7]
半导体器件、功率模块、功率转换电路、车辆及其半导体器件的制备方法 [P]. 
罗成志 ;
伍术 ;
邹佳欣 ;
钟敏 .
中国专利 :CN118299425A ,2024-07-05
[8]
半导体器件及其制备方法、电子设备 [P]. 
冯思睿 ;
支海朝 .
中国专利 :CN119743983A ,2025-04-01
[9]
半导体器件及其制备方法、电子设备 [P]. 
杨松 ;
侯勇 ;
刘通 ;
孙辉 .
中国专利 :CN120435026A ,2025-08-05
[10]
半导体器件及其制备方法、电子设备 [P]. 
孟祺鑫 .
中国专利 :CN121123141A ,2025-12-12
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