磷酸二氢钾类晶体的表面抛光方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610271922.5

申请日：

2016-04-28

公开(公告)号：

CN105922083A

公开(公告)日：

2016-09-07

发明(设计)人：

蔡长龙刘卫国包强姬娇周顺刘欢秦文罡惠迎雪陈智利

申请人：

申请人地址：

710032 陕西省西安市未央区学府中路2号

IPC主分类号：

B24B100

IPC分类号：

代理机构：

西安新思维专利商标事务所有限公司 61114

代理人：

黄秦芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101681308777 IPC(主分类):B24B 1/00 专利申请号:2016102719225 申请日:20160428
2016-09-07	公开	公开
2018-02-23	授权	授权

共 50 条

[1]

磷酸二氢钾晶体潮解抛光方法 [P].

张飞虎 ;

郭少龙 ;

张勇 .

中国专利 :CN101310922A ,2008-11-26

[2]

一种磷酸二氢钾类晶体光学表面平坦化的方法 [P].

刘卫国 ;

周顺 ;

王泉 ;

葛少博 ;

惠迎雪 ;

蔡长龙 ;

陈智利 .

中国专利 :CN106835035B ,2017-06-13

[3]

大口径磷酸二氢钾类晶体元件的抛光方法 [P].

赵世杰 ;

张明壮 ;

田亮 ;

金波佳 ;

谢瑞清 ;

廖德锋 ;

王健 ;

张剑锋 ;

樊非 .

中国专利 :CN118769032A ,2024-10-15

[4]

磷酸二氢钾晶体抛光用的上料结构 [P].

陈小平 .

中国专利 :CN216030113U ,2022-03-15

[5]

磷酸二氢钾晶体用烘箱 [P].

陈小平 .

中国专利 :CN215864415U ,2022-02-18

[6]

磷酸二氢钾晶体切割装置 [P].

陈小平 .

中国专利 :CN215549962U ,2022-01-18

[7]

磷酸二氢钾晶体生长槽 [P].

陈小平 .

中国专利 :CN113755948A ,2021-12-07

[8]

一种磷酸二氢钾类单晶体的生长方法及装置 [P].

潘建国 ;

刘晓利 ;

李月宝 ;

杨书颖 ;

张公军 ;

崔玉杰 ;

陈素珍 .

中国专利 :CN101684569B ,2010-03-31

[9]

磷酸二氢钾的制备方法 [P].

李旭光 ;

杨寒丽 ;

范金勇 .

中国专利 :CN103265000B ,2013-08-28

[10]

磷酸二氢钾晶体切割用的定向结构 [P].

陈小平 .

中国专利 :CN215849004U ,2022-02-18

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