半导体电子器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410031417.0

申请日：

2004-03-29

公开(公告)号：

CN100590886C

公开(公告)日：

2005-03-16

发明(设计)人：

吉田清辉

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L29772

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

谷惠敏;关兆辉

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-03-16	公开	公开
2006-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2010-02-17	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体电子器件 [P].

王越 ;

蔡勇 ;

于国浩 ;

董志华 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103227199B ,2013-07-31

[2]

半导体电子器件 [P].

D·G·帕蒂 ;

M·萨姆比 ;

F·F·R·托亚 ;

S·D·马里亚尼 ;

E·皮兹 ;

G·巴里拉罗 .

中国专利 :CN209496879U ,2019-10-15

[3]

半导体基板、半导体基板的制造方法、电子器件、和电子器件的制造方法 [P].

高田朋幸 ;

秦雅彦 ;

山中贞则 .

中国专利 :CN102341889A ,2012-02-01

[4]

提高半导体电子器件击穿电压的结构及半导体电子器件 [P].

蔡勇 ;

顾国栋 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103681792A ,2014-03-26

[5]

半导体衬底及电子器件 [P].

山本大贵 ;

长田刚规 .

中国专利 :CN110114862A ,2019-08-09

[6]

半导体器件及电子器件 [P].

宋继越 ;

艾飞 ;

宋德伟 .

中国专利 :CN115498043A ,2022-12-20

[7]

半导体器件和电子器件 [P].

清水完 ;

井上启司 .

中国专利 :CN108110023B ,2018-06-01

[8]

半导体器件及电子器件 [P].

宋继越 ;

艾飞 ;

宋德伟 .

中国专利 :CN115498043B ,2025-10-28

[9]

半导体基板，电子器件，以及半导体基板的制造方法 [P].

秦雅彦 .

中国专利 :CN102171789A ,2011-08-31

[10]

半导体基板、电子器件、以及半导体基板的制造方法 [P].

秦雅彦 .

中国专利 :CN102171790A ,2011-08-31

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