半导体电子器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310138569.X

申请日：

2013-04-19

公开(公告)号：

CN103227199B

公开(公告)日：

2013-07-31

发明(设计)人：

王越蔡勇于国浩董志华张宝顺

申请人：

申请人地址：

215125 江苏省苏州市工业园区独墅湖高校区若水路398号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256

代理人：

王锋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-08-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101511727074 IPC(主分类):H01L 29/778 专利申请号:201310138569X 申请日:20130419
2016-03-09	授权	授权
2013-07-31	公开	公开

共 50 条

[1]

提高半导体电子器件击穿电压的结构及半导体电子器件 [P].

蔡勇 ;

顾国栋 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN103681792A ,2014-03-26

[2]

半导体电子器件 [P].

吉田清辉 .

中国专利 :CN100590886C ,2005-03-16

[3]

半导体电子器件 [P].

D·G·帕蒂 ;

M·萨姆比 ;

F·F·R·托亚 ;

S·D·马里亚尼 ;

E·皮兹 ;

G·巴里拉罗 .

中国专利 :CN209496879U ,2019-10-15

[4]

半导体器件和电子器件 [P].

董钰华 .

中国专利 :CN117457752A ,2024-01-26

[5]

半导体器件及电子器件 [P].

宋继越 ;

艾飞 ;

宋德伟 .

中国专利 :CN115498043A ,2022-12-20

[6]

半导体器件和电子器件 [P].

清水完 ;

井上启司 .

中国专利 :CN108110023B ,2018-06-01

[7]

半导体器件及电子器件 [P].

宋继越 ;

艾飞 ;

宋德伟 .

中国专利 :CN115498043B ,2025-10-28

[8]

半导体器件、半导体器件制造方法以及电子器件 [P].

今纯一 .

中国专利 :CN103165556B ,2013-06-19

[9]

半导体电子器件散热器 [P].

秦彪 .

中国专利 :CN101364576B ,2009-02-11

[10]

半导体结构和半导体器件以及电子器件 [P].

周绍珂 ;

余仁旭 ;

李庆 .

中国专利 :CN222674849U ,2025-03-25

← 1 2 3 4 5 →