一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710179050.0

申请日：

2007-12-10

公开(公告)号：

CN101195482B

公开(公告)日：

2008-06-11

发明(设计)人：

张锦张永毅张依王星昱姜珊刘忠范

申请人：

申请人地址：

100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学

IPC主分类号：

C01B3102

IPC分类号：

B82B300

代理机构：

北京纪凯知识产权代理有限公司 11245

代理人：

关畅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2008-06-11	公开	公开
2011-01-26	授权	授权
2015-02-04	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101597013535 IPC(主分类):C01B 31/02 专利号:ZL2007101790500 申请日:20071210 授权公告日:20110126 终止日期:20131210

共 50 条

[1]

半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

李彦 ;

彭飞 ;

秦校军 ;

杨娟 .

中国专利 :CN103803522B ,2014-05-21

[2]

一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

潘春旭 ;

罗成志 ;

廖蕾 ;

万达 .

中国专利 :CN104944412B ,2015-09-30

[3]

窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法 [P].

刘畅 ;

赵石永 ;

侯鹏翔 ;

成会明 .

中国专利 :CN104211044A ,2014-12-17

[4]

一种大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法 [P].

侯鹏翔 ;

于冰 ;

刘畅 ;

成会明 .

中国专利 :CN102431989A ,2012-05-02

[5]

半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

张亚非 ;

苏言杰 ;

李子炯 .

中国专利 :CN101671001B ,2010-03-17

[6]

半导体性单壁碳纳米管的提纯方法 [P].

韩杰 .

中国专利 :CN109809390B ,2019-05-28

[7]

半导体性单壁碳纳米管的提纯方法 [P].

韩杰 .

中国专利 :CN109809393B ,2019-05-28

[8]

半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

李杰 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN103325662A ,2013-09-25

[9]

半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

李杰 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN103318868A ,2013-09-25

[10]

半导体性单壁碳纳米管的提纯方法 [P].

韩杰 .

中国专利 :CN109867273B ,2019-06-11

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