一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510395922.1

申请日：

2015-07-07

公开(公告)号：

CN104944412B

公开(公告)日：

2015-09-30

发明(设计)人：

潘春旭罗成志廖蕾万达

申请人：

申请人地址：

430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学

IPC主分类号：

C01B3102

IPC分类号：

B82Y4000

代理机构：

武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222

代理人：

张火春

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101631737549 IPC(主分类):C01B 31/02 专利申请号:2015103959221 申请日:20150707
2015-09-30	公开	公开
2016-09-28	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

李彦 ;

彭飞 ;

秦校军 ;

杨娟 .

中国专利 :CN103803522B ,2014-05-21

[2]

半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

张亚非 ;

苏言杰 ;

李子炯 .

中国专利 :CN101671001B ,2010-03-17

[3]

一种单根分散、半导体性富集单壁碳纳米管薄膜的制备方法 [P].

侯鹏翔 ;

李晓齐 ;

刘畅 ;

蒋松 ;

蹇杨 .

中国专利 :CN112194116A ,2021-01-08

[4]

窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法 [P].

刘畅 ;

赵石永 ;

侯鹏翔 ;

成会明 .

中国专利 :CN104211044A ,2014-12-17

[5]

一种大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法 [P].

侯鹏翔 ;

于冰 ;

刘畅 ;

成会明 .

中国专利 :CN102431989A ,2012-05-02

[6]

半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

李杰 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN103325662A ,2013-09-25

[7]

半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

李杰 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN103318868A ,2013-09-25

[8]

一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法 [P].

张锦 ;

张永毅 ;

张依 ;

王星昱 ;

姜珊 ;

刘忠范 .

中国专利 :CN101195482B ,2008-06-11

[9]

半导体性单壁碳纳米管的提纯方法 [P].

韩杰 .

中国专利 :CN109809390B ,2019-05-28

[10]

半导体性单壁碳纳米管的提纯方法 [P].

韩杰 .

中国专利 :CN109809393B ,2019-05-28

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