一种单根分散、半导体性富集单壁碳纳米管薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010958812.2

申请日：

2020-09-14

公开(公告)号：

CN112194116A

公开(公告)日：

2021-01-08

发明(设计)人：

侯鹏翔李晓齐刘畅蒋松蹇杨

申请人：

申请人地址：

110016 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号

IPC主分类号：

C01B32159

IPC分类号：

C01B32162 H01L5105

代理机构：

沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234

代理人：

张志伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-01-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 32/159 申请日:20200914
2021-01-08	公开	公开

共 50 条

[1]

一种半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

潘春旭 ;

罗成志 ;

廖蕾 ;

万达 .

中国专利 :CN104944412B ,2015-09-30

[2]

半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

李彦 ;

彭飞 ;

秦校军 ;

杨娟 .

中国专利 :CN103803522B ,2014-05-21

[3]

一种制备无分散剂半导体性单壁碳纳米管薄膜的方法 [P].

邱松 ;

韩杰 ;

李红波 ;

金赫华 ;

李清文 .

中国专利 :CN105585000A ,2016-05-18

[4]

半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

张亚非 ;

苏言杰 ;

李子炯 .

中国专利 :CN101671001B ,2010-03-17

[5]

半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

李杰 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN103325662A ,2013-09-25

[6]

半导体性单壁碳纳米管的制备方法 [P].

李杰 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN103318868A ,2013-09-25

[7]

一种大量获得半导体性单壁碳纳米管的方法 [P].

侯鹏翔 ;

于冰 ;

刘畅 ;

成会明 .

中国专利 :CN102431989A ,2012-05-02

[8]

一种基于半导体性单壁碳纳米管的柔性、透明气体传感器 [P].

石超 ;

郭舒予 ;

侯鹏翔 ;

刘畅 ;

成会明 .

中国专利 :CN104677879B ,2015-06-03

[9]

一种生长半导体性单壁碳纳米管的方法 [P].

张锦 ;

张永毅 ;

张依 ;

王星昱 ;

姜珊 ;

刘忠范 .

中国专利 :CN101195482B ,2008-06-11

[10]

一种半导体性单壁碳纳米管分离富集的方法 [P].

官轮辉 ;

吴初新 ;

缪育明 .

中国专利 :CN108423652A ,2018-08-21

← 1 2 3 4 5 →