发光二极管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010530522.4

申请日：

2010-11-03

公开(公告)号：

CN102024898A

公开(公告)日：

2011-04-20

发明(设计)人：

牛崇实张翼德

申请人：

申请人地址：

710100 陕西省西安市国家民用航天产业基地工业二路55号

IPC主分类号：

H01L3358

IPC分类号：

H01L3312 H01L3342 H01L3300

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-10-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/58 申请日:20101103 授权公告日:20130327 终止日期:20181103
2011-04-20	公开	公开
2011-06-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101077294946 IPC(主分类):H01L 33/58 专利申请号:2010105305224 申请日:20101103
2013-03-27	授权	授权

共 50 条

[1]

发光二极管及其制造方法 [P].

肖德元 ;

张汝京 ;

程蒙召 ;

许继仁 .

中国专利 :CN102130256A ,2011-07-20

[2]

发光二极管制造方法 [P].

牛崇实 ;

张翼德 ;

尚青生 .

中国专利 :CN102064245A ,2011-05-18

[3]

发光二极管及其制造方法 [P].

张汝京 ;

肖德元 .

中国专利 :CN102130250A ,2011-07-20

[4]

发光二极管及其制造方法 [P].

肖德元 ;

张汝京 .

中国专利 :CN102130252B ,2011-07-20

[5]

发光二极管及发光二极管制造方法 [P].

林雅雯 ;

邱镜学 ;

凃博闵 ;

黄世晟 .

中国专利 :CN104377284B ,2015-02-25

[6]

发光二极管及发光二极管制造方法 [P].

林雅雯 ;

邱镜学 ;

凃博闵 ;

黄世晟 .

中国专利 :CN103811606A ,2014-05-21

[7]

发光二极管及其制造方法 [P].

肖德元 ;

张汝京 ;

饶青 .

中国专利 :CN102130224A ,2011-07-20

[8]

发光二极管及其制造方法 [P].

张汝京 ;

肖德元 ;

程蒙召 .

中国专利 :CN102244169A ,2011-11-16

[9]

发光二极管及其制造方法 [P].

张汝京 ;

肖德元 .

中国专利 :CN102130285A ,2011-07-20

[10]

发光二极管及其制造方法 [P].

李淼 .

中国专利 :CN102208507A ,2011-10-05

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